模电试卷二及答案.docxVIP

1．单项选择题 ( 在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题 干后的 ( ) 内。每小题 2 分，共 20 分) (1) 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于 ( ) 。 ( 图 2) A ．掺杂浓度 B ．工艺 C. 温度 D ．晶体缺陷 (10) 在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是 ( ) 。 (2) 硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于 ( ) 。 A ．迟滞比较器 B ．零比较器 C ．三态比较器 A ．正向导通状态 B ．反向电击穿状态 C ．反向截止状态 D ．反向热击 D ．窗口比较器 穿状态 2．填充题 ( 每格１分，共 20 分) (3) 测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图 1 所示， (11) 当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 A．NPN型硅管 B ．NPN型锗管 C ． PNP型锗管 D ． PNP型硅管 而产生的输出失真称为 ( 幅频 ) 失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失 (4) 温度上升时，半导体三级管的 ( ) 。 ③ 真称为 ( 相频 ) 失真，这两种失真统称为 ( 频率 ) 失真或 ( 线性 ) 失真。 A ．β和 I CBO增大， BE下降 B ．β和 BE增大， CBO减小 ① (12) 半导体三极管属 ( 电流 ) 控制器件，而场效应管属于 ( 电压 ) 控制器件。 U U I ② -2.2V 型和 ( C ．β减小， I 和 U 增大 D ．β、 I 和 U 均增大 -2V (13) 按结构不同，场效应管可分为 ( 结 ) 绝缘栅 ) 型两大类。 CBO BE CBO BE ( -8V 图 1) (14) 集成运放内部电路实际上是一个 ( 高增益 ) 、( 直接耦合 ) 、 ( 多级 ) 放大电路。 (5) (15) 在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ相位相反、 直流稳压电源由（ 变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路） 四个部分组成。 ︱ A︱ 1 的只可能是 ( ) 。 (16) 按幅频特性不同， 滤波器可分为 （ 低通 高通 带通 带阻 全通） 滤波器等 U A ．共集电极放大电路 B ．共基极放大电路 C ．共漏极放大电路 D ．共射极放大电路 (6) 在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是 ( ) 。 A ．电压并联负反馈 B ．电压串联负反馈 C ．电流并联负反馈 D ．电流串联负反馈 关于多级放大电路下列说法中错误的是 ( ) 。 A ．Aｕ 等于各级电压放大倍数之积 B ． Rｉ 等于输入级的输入电阻 C ．R。等于输出级的输出电阻 D ．Ａｕ 等于各级电压放大倍数之和 （ 8） 用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻 RE，可以提高电路的 ( ) 。 A．︱ Aｕｄ ︱ B ． ︱Aｕｅ ︱ C ．Ｒｉｄ D ．ＫＣＭＲ 电路如图 2 所示，其中 U２＝20V， C＝ 100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压 U０≈ ( ) 。 A ． 24V B ．28V + TR C．－ 28V D ．－ 18V + D4 D1 u + u2 1 － － D 3 D 2 C Uo －  五种。 ．分析计算题（共 60 分） 17）电路如图３所示．已知 RB1＝ 50KΩ , R B2＝ 10KΩ , R C＝ 6KΩ , R E＝ 750Ω, 信号源内阻 RS＝ 5KΩ , 负载电阻 RL＝ 10KΩ , 电源电压＋ VCC=12V,电容 C1、 C2 的电容量均足够大 , 晶体管的β =99、 r be=1 K Ω、 U BE=0.7V 。试求：（ a）电压放大倍数 Au（ =UO/U I ）及 Aus（ =UO/US）; （ b）输入电阻 Ri 和输出电阻 RO。 +V CC +V CC RC C2 T 1 R + B1 C1 T C + + + + + R RLuo + S + ui RB2 RE ui uo R － T2 u － L s － － － ( 图 3) ( 图 4) （ 18）电路如图 4 所示。已知： VCC＝ 40V，RL＝ 8Ω，输入电压 ui =20＋ 10 2 sin ω t （ V）, 电容器 C 的电容量足够大。试求 uo、输出功率 PO、电源消耗功率 PV 及能量转换效率η。 （ 19）电路如图 5 所示。其中 R1＝R2， R3＝ R4＝ R5＝R6，各集成运放的性能均理想。试求 u01、 u02 及 0 u 的表达式。 R2 R1 A 1 － ∞ A