自带线性热电阻校正的热电堆红外传感器及其制备方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 自带线性热电阻校正的热电堆红外传感器及其制备方法与流程 [0001]本发明涉及了热电堆红外传感器技术，尤其是自带线性金属热电阻修正的红外热电堆传感器。背景技术：[0002]红外热电堆传感器是一种通过测量物体放射的红外辐射的强度不同，输出有差别的电压信号，从而推断物体的热特性的探测器,可用于非接触测量温度，可以测量恒定的红外辐射，既可以用在军用，也可以民用；这种传感器现在可以采纳半导体mems技术创造，甚至跟cmos工艺兼容，尺寸可以做得十分小，因此可以在si基座上制作单个的传感器，也可以创造成以矩阵方式罗列的传感器阵列，具有很高的性价比。采纳半导体mems技术创造的热电堆单元，普通有几对或者几十对热电偶串联而成，这些热电偶的偶条材料可以采纳金属材料，也可以用p型或者n型多晶硅电阻条，也可以用金属条跟多晶硅电阻条组合。[0003]我们知道测量温度的热电偶的工作原理是两种不同塞贝克系数的电阻条一端相连，相连这头放置在热区，另外不相连的两端放置在冷区，假如冷热区有温差在，那么这个不相连的两端就会产生开路电势差，通过这个电势差获得温度差，，是塞贝克系数，因此电势差的大小跟温度差有挺直的关系，因此，用于测量温度的时候，需要很精确?????的测量冷端的温度，才干得到热端的精确?????温度。传统的办法是在热电堆芯片的旁边另外再封装一片热敏电阻，一个是增强的封装的工作量，另外热敏电阻本身的精确?????度影响了整体测温的精确?????度，还有热敏电阻的封装总是离开热电堆芯片有一个距离，不能够彻低代表热电堆芯片的冷端温度。[0004]因此，针对现有技术中如何获得能够代表热电堆芯片冷端温度或者自带热电阻校正的热电堆的问题，亟需提供一种高精确?????度、实现有效温差、敏捷度高的热电堆红外传感器及其制备技术显得尤为重要。技术实现要素：[0005]本发明的目的在于避开现有技术中的不足之处而提供一种高精确?????度、实现有效温差、敏捷度高的热电堆红外传感器。[0006]本发明的目的通过以下技术计划实现：提供一种自带线性热电阻校正的热电堆传感器，其包括有硅基底、sio2薄膜、氮化硅层、多晶硅条、sio2绝缘层、金属电极和线性金属热电阻，硅基底上依次具有sio2薄膜和氮化硅层，氮化硅层形成支撑膜；多晶硅条设于氮化硅层的上表面，sio2绝缘层笼罩于多晶硅条，金属电极穿过多晶硅条上方的sio2绝缘层与多晶硅条接触，铂电极与多晶硅条组成热电偶，多条热电偶构成热电堆，所述线性金属热电阻设于sio2绝缘层和硅基底上，且所述线性金属热电阻位于热电堆的旁侧。[0007]优选的，多晶硅条掺杂有b离子。[0008]本发明的另一目的在于避开现有技术中的不足之处而提供一种高精确?????度、实现有效温差、敏捷度高的热电堆红外传感器制备办法本发明的另一目的通过以下技术计划实现：提供一种自带线性热电阻校正的热电堆传感器的制备办法，其包括有以下步骤：（1）热生成sio2薄膜：在抛光好的si基底用法热氧化法生成sio2薄膜；（2）生成氮化硅层：用化学气相沉淀法在sio2薄膜上生成氮化硅层；（3）生成多晶硅层：在氮化硅层上用低压气相沉淀法沉淀生产1微米厚的多晶硅层，用法离子注入机往多晶硅层注入b离子，退火处理；（4）制作多晶硅电偶条：根据设计好的热电偶位置，采纳光刻工艺在多晶硅层上刻蚀出多晶硅条作为热电偶条的一偶条；（5）生成sio2绝缘层：用法低压气相沉淀法在步骤（4）的半成品上生成0.3微米的sio2层作为绝缘层，并通过光刻工艺创造接触窗口使接触窗口内的多晶硅暴露；（6）制备电极：在步骤（5）的sio2层溅射一层厚0.5微米的金属，接触窗口内暴露的多晶硅上表面与金属接触，用法光刻机将金属光刻腐蚀保留接触窗口上的金属作为电极，金属电极作为热电偶条的另一偶条，同时，保留一条位于sio2层上的备用金属；（7）制备薄膜pt电阻：用激光在备用金属上刻出阻抗制成薄膜线性金属热电阻；（8）制备薄膜悬浮窗：用法光刻机刻蚀出腐蚀通道，采纳干法正面开孔腐蚀法，用xef2气体把si基底腐蚀一定深度形成薄膜悬浮窗。[0009]优选的，sio2薄膜的厚度为0.5微米，氮化硅层的厚度为0.4微米，sio2薄膜和氮化硅层共同形成支撑膜。[0010]优选的，步骤（3）中退火处理后，方块电阻为50±5欧姆。[0011]优选的，步骤（7）中制得的薄膜pt电阻为pt1000、pt2000或者 pt5000。[0012]优选的，金属为铂金。[0013]本发明的有益效果：本发明通过改进热电堆芯片制作工艺，热电堆红外传感器本体部分和用于温度修正