IGBT器件的结构及工艺方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 IGBT器件的结构及工艺方法与流程 igbt器件的结构及工艺方法1.技术领域2.本创造涉及半导体器件领域，特殊是指一种igbt器件的结构。3.本创造还涉及所述igbt器件的工艺方法。4.背景技术：5.绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，以下简称igbt)是一种集金属氧化物半导体场效应管(mosfet)的栅电极电压把握特性和双极结型晶体管(bjt)的达灵顿结构半导体功率电力电子器件，具有电压把握、输入阻抗大、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低及工作频率高等特性，是比较抱负的半导体功率开关器件，开关频率在10k～100k赫兹之间，有着宽敞的进展和应用前景。6.目前随着igbt电流密度要求越来越高，器件通态的电流也越来越大。器件表面的有源区面积也越来越大。在器件制造工艺过程中，有源区表面接触外界工艺气体的范围增加。特殊是对于绝缘栅双极晶体管和其他功率器件而言，产生漏电的缘由和途径很多。在功率器件结构生产工艺过程中，时有发生造成器件表面受到磷污染，磷被器件表面吸取，器件体内的硼被析出，器件表面界面态修复不够，更加简洁产生漏电。特殊是大电流的绝缘栅双极晶体管制造工艺中，对漏电更加敏感，更需要防止漏电的产生。因半导体器件表面的磷污染很难被发觉，即使推理了也很难验证，从而比较难针对性