半导体中的杂质和缺陷 .pptVIP

§2.1.6 深能级杂质 深能级杂质：非ⅢⅤ族杂质在Si、Ge的禁带中产生的施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。杂质电离能大，能够产生多次电离 第三十页，共52页 （1）浅能级杂质 △ED《Eg △EA《Eg （2）深能级杂质 △ED≮Eg △EA≮Eg §2.1.6 深能级杂质 第三十一页，共52页 例如：在Ge中掺Au Au的电子组态为：5s25p65d106s1 §2.1.6 深能级杂质 第三十二页，共52页 1，Au失去一个电子－－－施主 Au0 – e＝ Au+ ED=EV+0.04eV §2.1.6 深能级杂质 Ec Ev ED 第三十三页，共52页 2，Au获得一个电子－－－受主 Au0 ＋e＝ Au- EA1= EV + 0.15eV §2.1.6 深能级杂质 Ec Ev ED EA1 第三十四页，共52页 3，Au获得第二个电子 Au- ＋e＝ Au-- EA2=EC－0.2eV §2.1.6 深能级杂质 Ec Ev ED EA1 EA2 第三十五页，共52页 4，Au获得第三个电子 Au-- ＋e＝ Au--- Ec Ev ED EA3=EC－0.04eV §2.1.6 深能级杂质 EA1 EA2 EA3 第三十六页，共52页 §2.1.6 深能