半导体中杂质和缺陷能级 .pptVIP

P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 P型半导体中载流子是什么？ 由受主原子提供的空穴，浓度与受主原子浓度相同 第三十一页，共87页 三、受主电离 受主杂质释放空穴的过程叫受主电离。 未电离时是中性的，称为束缚态或中性态； 电离后成为负电中心，称为受主离化态. 杂质电离能：使多余空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量，ΔEA (Acceptor) 第三十二页，共87页 晶体 杂 质 B Al Ga In Si Ge 0.045 0.01 0.057 0.01 0.065 0.011 0.16 0.011 Ⅲ族杂质元素在硅、锗晶体中的电离能很小。 　硅中约为0.045-0.065eV。铟(In)在硅中的电离能为0.16eV，是一例外，在锗中约为0.01eV。比硅、锗晶体的Eg小得多。 硅、锗晶体中Ⅲ族杂质的电离能(eV) 第三十三页，共87页 把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA Eg ΔEA EA EC EV 空穴得到能量ΔEA后，从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴，在能带图上表示空穴的能量是越向下越高，空穴被受主杂质束缚时的能量比价带顶EV低ΔEA ∵ΔEA《Eg， ∴受主能级离价带顶很近 四、受主能级和受主电离 第三十四页，共87页 Eg ΔEA EA EC EV 受主能级和受主电离 ΔEA《Eg，受主能级位于离价带顶很近的禁带中。一般受主能级也是