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* * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 * * 图3 RF MEMS VCO测试框图 Work in the last two months 悬空结构 模片 沟、槽 单晶硅 多晶硅 键合技术 微电子所四个体硅标准工艺 机械性能好 几何尺寸大 浪费硅材料 与IC兼容不好 各向同性腐蚀 各向异性腐蚀 体微加工 第二十九页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months 表面微加工 两层多晶硅表面微加工（北大微电子所） 三层多晶硅表面微加工（Berkley SA中心，PolyMUMPs） 五层多晶硅表面微加工（美国Sandia国家实验室） 两层MEMS结构：一层是结构材料,另一层为地面材料 多晶硅作为结构层，淀积PSG作为牺牲层， 氮化硅作为电隔离层 两层主要的薄膜层，结构层：多晶硅， 牺牲层：二氧化硅 第三十页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months LIGA技术 LIGA技术 准LIGA技术 SLIGA技术 电镀 ( Galvanoformung) 压模(Abformung) 光刻 (Lithographie) 第三十一页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months 衬底必须是导体或涂有导电材料 1 能实现大深宽比结构 2 材料广泛 3 制作高精度复杂图形 4 易于大批量生产 5 不适合制作多层结构 6 LIGA技术特点 第三十二页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months 硅/硅键合 1、灵活性和半导体工艺兼容性 2、温度在键合过程中起着关键的作用 3、硅片表面的平整度和清洁度 硅/玻璃键合 1、两静电键合材料的热膨胀系数近似匹配 2、阳极的形状影响键合效果 3、表面状况对键合力也有影响 金属/玻璃键合 1、电压、温度和表面光洁度影响键合反应 2、离子扩散阳极氧化影响键合 3、键合界面处产生过渡层 键合技术 键合技术可以将表面加工和体加工有机地结合在一起 第三十三页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months 三维MEMS结构加工中的材料 结构材料： 硅、玻璃、 半导体材料 牺牲层材料 电绝缘材料 功能材料： 压电材料 磁致伸缩材料 形状记忆合金 第三十四页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months 金属： 如Ti，Al， Cu，Cr 等 非金属： 二氧化硅、氮化硅、 碳化硅和磷硅玻璃等 有机物和聚合物： 如光刻胶，聚酰亚胺、PMMA、SU-8等 牺牲层 材料 第三十五页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two months B C A 前CMOS (pre-CMOS) 混合CMOS ( intermediate-CMOS) 后CMOS(post-CMOS) CMOS-MEMS技术：将MEMS部分和CMOS电路做在同一块衬底上 一种是在CMOS结构层上面再淀积一层结构层的微加工 另一种是直接以CMOS原有的结构层作为MEMS结构层的微加工 第三十六页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the future 2. 考虑… 1. 完成… 3. 制作… 4. 加工… 第三十七页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two weeks Attend 08MEMS training 01 Write SC-JRP application 02 Write … application 03 Design the … 04 第三十八页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in the last two weeks Write SC-JRP application Input Chinese and English version 1 Contact with Vincent of NUS 2 The joint unit not Univ., but A*STAR 3 Cooperation failed, but be trained 4 第三十九页，编辑于星期六：五点 七分。 Work in