模拟电子技术：第2讲 三极管.pptVIP

高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 第三节 半导体三极管 双极型晶体管(BJT) 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 第三节 半导体三极管 双极型晶体管(BJT) 一、三极管的结构与种类 功率 小功率管 大功率管 频率 高频管 低频管 ｛ ｛ 中功率管 大功率管 结构 NPN PNP 材料 Si Ge ｛ ｛ 小功率管 NPN型三极管 (a)结构示意图 (b)符号 制造三极管时必须满足工艺要求： (1)基区很薄，掺杂浓度最低。 (2)发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 (3)集电区面积最大，且掺杂浓度低。 集电区面积最大 基区最薄，掺杂浓度最低 发射区掺杂浓度最高 PNP型三极管 箭头所在极为e极。 箭头所指方向为电流方向。 规律 箭头朝外 NPN； 箭头朝里 PNP。 二、三极管的放大原理 1、载流子的传输过程 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 少数载流子的运动 漂移电流 复合电流 收集电流 如图可得 收集电流 漂移电流 复合电流 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB 三极管处于导通状态必须满足的条件： E结 C结 正偏 反偏 PNP ： VcVbVe NPN ： VcVbVe 从电位的角度： 输入回路 输出回路 共射 2 电流分配关系 共射直流电流放大系数 (1) (2) (3) (4) 穿透电流 IE=IC+IB 共射交流电流放大系数 一般情况下，直流电流放大系数与交流电流放大系数差别很小，在分析估算中常取 。 与管子的结构有关 电流分配关系 结论 由基极电流的微小变化引起的集电极电流的较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 1）三极管电极之间电流关系：IE=IB +IC 2）IC??IB ，IC?IE 3）IC ? IB， IE ?(1+ )IB ps：三极管的三种组态 (a)共发射极电路 (b)共基极电路 (c)共集电极电路 共发射极电路； 共基极电路； 共集电极电路。 共基电路（CB） 共基电路直流电流放大系数 与 的关系 共基电路交流电流放大系数 与 的关系 三、三极管的输入特性与输出特性 以NPN管共射电路为例 1 输入特性曲线族 三极管的输入特性曲线与二极管相似，表示以 为参变量时 和 的关系。 (1)UCE=0V，两个PN结并联。 (2)UCE增大 对于小功率管，UCE=1V的输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 UCE≥1V 2 输出特性曲线族 输出特性共分四个区： （1）放大区 受控性与恒流性 三极管工作在该区E结正偏，C结反偏。 （2）截止区 IB≤0 小功率管约为(0.3～0.5)V。 （4）击穿区 （3）饱和区 饱和压降UCES Uces是分隔放大区与饱和区的分隔线。 发射结电压小于开启电压，集电结反偏。 IC≤ICEO 发射结与集电结均正向偏置。 IC不仅与IB有关，而且明显随 增大而增大。 四、三极管的主要参数 1 电流放大系数 （1）共射电路 直流电流放大系数定义 交流放大系数定义 图解β值 （2）共基电路 直流电流放大系数定义 交流电流放大系数定义为 （1）反向饱和电流ICBO （2）穿透电流ICEO 2 极间反向电流 3 极限参数 （1）集电极最大允许功耗PCM 临界功耗线 集电极的功率功耗 。要求 ，否则管子会过热而烧毁。 （2）集电极最大允许电流ICM （3）反向击穿电压U(BR)CEO 的区域称过流区。 4 频率参数 （1）共射截止频率 当 下降到中频值 的0.707倍时对应的频率称共射截止频率 。 （2）共射特征频率 （3）共基截止频率 指当