第八章-半导体的其它接触PPT课件.ppt

第八章　　半导体的其它接触; 一、功函数;半导体的功函数Ws;半导体的功函数;二、金属-半导体接触;金-半接触概况;由于接触前半导体的费米能级比金属的高，则接触后电子从半导体流向金属。 因此平衡时，金属表面带负电而半导体表面带正电，电场方向从半导体指向金属，因此由半导体表面向体内电势升高，相应的半导体表面电子能带较体内的高。 对于n型半导体，表面电子浓度比体内的低，所以称为耗尽层，但对p型半导体来说，表面空穴浓度比体内高，所以称为积累层。 ;WsWm的情况;WsWm的情况;接触后电子从金属流入半导体，所以金属表面带正电，半导体表面带负电。 自建电场方向为金属到半导体体内，因此半导体表面电势较体内的高，相应表面的电子能带较体内的低。 对于n型半导体，表面电子浓度较高，为积累层，对p型半导体，空穴浓度较体内的低，为耗尽层。 负电荷的来源：对于n型，负电荷来源于导带电子的增加，而对于p型，负电荷来自电离的受主离子。;WsWm的情况;WsWm的情况;三、金属-半导体接触的整流现象 ;正向偏压：以n型阻挡层为例;反向偏压：以n型阻挡层为例;四、伏安特性;四、伏安特性;半导体内单位体积内能量在E~E+dE范围内的电子数：;单位面积上，单位时间内，对于上述速度范围内的电子，可以通过金属－半导体界面的电子数为; 从金属到半导体的势垒高度不随外界偏压变化，因此从金属流向半导体的电流不随外加电压变化。 所以流过金-半接触的总电流为 反向饱和电流与外加电压无关，但更强烈地依赖于温度。;五、金属-半导体欧姆接触;若不考虑表面态的影响，金属和半导体的理想接触可以形成反阻挡层，它没有整流作用。这样看来，选用适当的金属材·料，就有可能得到欧姆接触。 然而，Ge、Si、GaAs这些最常用的半导体材料，一般都有很高的表面态密度。无论是n型材料或p型材料与金属接触都形成势垒，而与金属功函数关系不大。因此，不能用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。 目前，主要利用隧道效应的原理在半导体上制造欧姆接触。;前面谈到，重掺杂的pn结可以产生显著的隧道电流。 金属和半导体接触时??如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。因之，半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。 常用方法：在n型或p型半导体上制作一层重掺杂区后再与金属接触，形成金属-n+n或金属-p+p结构。;　MIS: Metal-Insulator-Semiconductor 　MOS: Metal-Oxide-Semiconductor;一、表面态;二、表面电场效应;在金属板与半导体之间加一电场，电力线由金属到半导体表面。没有外场时，半导体表面不带电荷。加上外场时，由于感应，在半导体表面感生出电荷，其总量等于金属板上的电荷，类似与平板电容器。 金属的传导电子密度很高，电荷集中在表面极薄的一层内，大约为0.1纳米的量级。 半导体的载流子密度较低，一般比金属中的自由电子密度低几个数量级，因此半导体内在靠近表面的一定深度内产生一个空间电荷区，厚度一般为几百埃至几千埃甚至更大。;空间电荷区的存在，使得半导体内有电场存在，所以相应的产生一个电势分布。这个电势的存在使得能带发生弯曲。常称空间电荷区两端的电势差为表面势。 由于半导体与金属处于电连接状态，所以平衡时两者的费米能级应该相同，因此对空间电荷区内的电子来说，导带底及价带顶与费米能级的位置必然发生变化。 由于费米能级相对位置变化，必然导致空间电荷区的载流子浓度发生变化。;表面势及空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半导体间所加的电压VG而变化，基本上可归纳为堆积、耗尽和反型三种情况。;VG=0时,理想MIS结构的能带图;多子堆积状态;多子耗尽状态;少子反型状态;泊松方程;;在表面处：;表面层电容;(a)多子堆积时：Vs0，Qs0;(b)平带：Vs=0;（c）耗尽： Vs0;(d)反型状态;qVB;开启电压VT：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压。;强反型后： Vs VB ，且qVsk0T时;Vs;以上所讨论的都是空间电荷层的平衡状态，即假设金属与半导体间所加的电压VG不变，或者变化速率很慢以至表面空间电荷层中载流子浓度能跟上偏压VG变化的状态。 以下将讨论一种称为深耗尽的非平衡状态。 以p型半导体为例，如在金属与半导体间加一脉冲阶跃或高频正弦波形成的正电压时，由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率赶不上电压的变化，反型层来不及建立，只有靠耗尽层延伸向半导体内深处而产生大量受主负电荷以满足电中性条件。因此，这种情况时耗尽层的宽度很大，可远大于强反型的最大耗尽层宽度，且其宽度随