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磁控溅射镀膜机技术要求 设备用途 能够进行磁控溅射、蒸发， 基片台可用射频电源加负偏压对基片进行反溅清洗活化、辅助溅射功 能。 该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性膜等。 主要技术指标 真空腔室 304 优质不锈钢真空腔室，上开盖结构；观察窗 1 套 真空系统 涡轮分子泵 +直联旋片泵准无油真空系统，数显复合真空计 真空极限 优于 8.0 ×10-5 Pa -3 抽速 从大气抽至 6.0 ×10 Pa ≤ 15min 基片台尺寸 最大可镀基片尺寸 / 面积： Ф100mm 范围内可装卡各种规格基片 基片加热与旋转 基片台加热：室温 ～ 400 ℃， PID 控温；基片旋转： 0-20 转/ 分钟连续可调；基 片台有负偏压装置，可切换射频电源反溅清洗样片 溅射靶及电源 2 英寸圆形平面靶 1 只，靶的角度可调， 1 对水冷蒸发电极；配冷却循环水机； 该靶兼容直流溅射 / 中频溅射 /射频溅射； 配 2000VA 直流溅射电源 1 台、500VA 射 频溅射电源 1 台、2000VA 直流蒸发电源 1 台 工作模式 向上溅射（基片台在腔室顶部，靶在腔室底部） 膜厚不均匀性 ≤±5%（靶材匹配范围内） 报警及保护 对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措 施；完善的逻辑程序互锁保护系统 设备质保 需要供应商提供不少于 1 年的设备免费保修服务。 1