金属和半导体的接触.ppt

第七章 金属和半导体的接触 ;本章内容提要;金属—半导体接触 ;7.1 金属半导体接触及其能级图;2.接触电势差（肖特基模型）;小结： （1）金属与n型半导体接触 ;（2）金属与p型半导体接触;3.表面态对接触势垒的影响（巴丁模型）;金属与半导体接触是不同物质之间的紧密接触 ;1、阻挡层的整流特性 ——外加电压对阻挡层的作用;概念 整流理论是指阻挡层的整流理论 紧密接触的金属和半导体之间有外加电压 外加正向电压V于金属（V0），电压主要降落在高阻区域阻挡层上。原来半导体表面和内部之间的电势差，即表面势是(Vs00)，现在应为(Vs0十V)，因而半导体一边的电子势垒高度由-qVs0 改变为-q(Vs0十V)下降，形成从金属到半导体的正向净电流，它是由n型半导体中多数载流子构成的。外加电压越高，势垒下降越多正向电流越大。; 如外加反向电压(即V＜0），势垒增高，金属到半导体的电子流占优势，形成由半导体到金属的反向净电流。由于金属中的电子要越过相当高的q?ns才能到达半导体中，因此反向电流很小。因金属一边的势垒不随外加电压变化，所以从金属到半导体的电子流是恒定的。 当反向电压进一步提高，使半导体到金属的电子流可以忽略不计时，反向电流将趋于饱和值。所以这样的阻挡层具有类似p-n结的伏—安特性，即有整流作用。 ;;;加上正向电压（金属一边为正）时： ;加上反向电压(金属一边为负)时： ; p型阻挡层的讨论完全类似，不同的是这里(Vs)0＞0，正反向电压的极性与n型阻挡层相反。当V＜0，即金属加负电压时，形成从半导体流向金属的正向电流；当V＞0，即金属加正电压时，形成反向电流。 无论是哪种阻挡层，正向电流都相应等于多数载流子由半导体到金属所形成的电流。 以上定性的说明了金属半导体接触整流理论，下面根据扩散和热电子发射理论定量讨论 ;2、整流理论;（1）扩散理论; 势垒区存在电场，有电势的变化，载流子浓度不均匀。计算通过势垒的电流时，必须同时考虑漂移和扩散运动。 一般情况下，势垒高度远大于k0T 时，势垒区可近似为一个耗尽层。在耗尽层中，载流子极少，它们对空间电荷的贡献可以忽略；杂质全部电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。n型半导体的耗尽层，耗尽层宽度xd 表示。 考虑半导体是均匀掺杂的，那么耗尽层中的电荷密度是均匀且等于qND; 势垒高度qVDk0T时，势垒区内的载流子浓度～0 ;; 势垒区的电势分布 ：半导体内电场为零，E(xd)=0；取金属费米能级位置为零电位， 则V(0)=－?ns； 则边界条件为： E(xd)=0 V(0)=－?ns； ;VD;;Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact;讨论：;;;Thank you!