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PAGE PAGE 1 参考电压确定方法及装置与流程 [0001]本藏匿涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种参考电压确定办法及装置。背景技术：[0002]固态硬盘(ssd)采纳nand(与非)闪存颗粒作为存储介质举行数据存储，其中，nand存储器由多个存储单元构成，通常可以向存储单元加ssd出厂时配置的参考电压以读取存储在存储单元中的数据，然而，在实际应用中，因为nand读写操作、擦写操作以、数据保持时光、用法时光等缘由，各个数据状态所对应的真切参考电压相比于出厂配置的参考电压会有所偏移，这种现象可能会导致数据读取错误。技术实现要素：[0003]有鉴于此，本藏匿提出了一种参考电压确定办法，所述办法包括：[0004]利用多个不同参考电压读取第一闪存页的数据，将所读取的数据的第一错误比特数目达到收敛值的参考电压作为第一目标参考电压，所述第一闪存页为待测试的闪存块的多个闪存页中的随意一个；[0005]对所述第一目标参考电压举行调节，得到多个其次目标参考电压；[0006]利用所述多个其次目标参考电压读取闪存块的多个闪存页的数据，将所读取的数据的其次错误比特数目最小的其次目标参考电压作为目标参考电压。[0007]在一种可能的实施方式中，所述办法还包括：[0008]以第一步长逐渐调节预设参考电压，得到所述多个不同参考电压，其中，利用每次调节后得到的参考电压所读取的数据的第一错误比特数目逐渐减小。[0009]在一种可能的实施方式中，所述以第一步长逐渐调节预设参考电压，得到所述多个不同参考电压，包括：[0010]以所述第一步长向上调节及向下调节所述预设参考电压分离得到第一参考电压及其次参考电压；[0011]将利用所述预设参考电压、所述第一参考电压及所述其次参考电压读取所述第一闪存页的数据分离与预设数据举行比较，得到所述预设参考电压对应的错误比特数目、所述第一参考电压对应的错误比特数目、所述其次参考电压对应的错误比特数目；[0012]按照所述第一参考电压对应的错误比特数目、所述其次参考电压对应的错误比特数目中相较于所述预设参考电压对应的错误比特数目的较小值确定调节方向；[0013]以所述第一步长在所述调节方向上逐渐调节所述第一参考电压或所述其次参考电压，得到所述多个不同参考电压。[0014]在一种可能的实施方式中，所述办法还包括：[0015]按照每次调节后得到的参考电压所读取的数据的错误比特数目及前一错误比特数目调节所述第一步长。[0016]在一种可能的实施方式中，所述按照每次调节后得到的参考电压所读取的数据的错误比特数目及前一错误比特数目调节所述第一步长，包括：[0017]在按照调节后得到的参考电压所读取的数据的错误比特数目小于前一错误比特数目的状况下，增大所述第一步长；或[0018]在按照调节后得到的参考电压所读取的数据的错误比特数目大于前一错误比特数目的状况下，转变所述调节方向并减小所述第一步长。[0019]在一种可能的实施方式中，所述预设参考电压包括多个。[0020]在一种可能的实施方式中，所述对所述第一目标参考电压举行调节，得到多个其次目标参考电压，包括：[0021]将其次步长依次减半并取整得到多个第三步长；[0022]利用所述其次步长及所述多个第三步长向上和向下调节所述第一目标参考电压得到所述多个其次目标参考电压。[0023]在一种可能的实施方式中，所述利用所述多个其次目标参考电压读取闪存块的多个闪存页的数据，将所读取的数据的其次错误比特数目最小的其次目标参考电压作为目标参考电压，包括：[0024]以第一个所述其次目标参考电压得到的其次错误比特数目为最小值中间结果；[0025]在随意一个所述其次目标参考电压得到的其次错误比特数目小于所述最小值中间结果的状况下，利用当前的所述其次目标参考电压得到的其次错误比特数目更新所述最小值中间结果。[0026]在一种可能的实施方式中，所述办法还包括：[0027]在利用随意一个所述其次目标参考电压得到的闪存块的部分闪存页的错误比特数大于所述最小值中间结果的状况下，停止举行其余部分闪存页的错误比特数的运算。[0028]按照本藏匿的另一方面，提出了一种参考电压确定装置，所述装置包括：[0029]第一确定模块，用于利用多个不同参考电压读取第一闪存页的数据，将所读取的数据的第一错误比特数目达到收敛值的参考电压作为第一目标参考电压，所述第一闪存页为待测试的闪存块的多个闪存页中的随意一个；[0030]调节模块，衔接于所述第一确定模块，用于对所述第一目标参考电压举行调节，得到多个其次目标参考电压；[0031]其次确定模块，衔接于所述调节模块，用于利用所述