弛豫铁电晶体的生长与表征开题报告.docVIP

开题报告 题目：弛豫铁电晶体 的生长与表征 1 毕业设计（论文）综述 1.1题目背景及研究意义 弛豫型铁电陶瓷材料与传统压电陶瓷相比，具有电致应变大、响应快、回零快、重复性好、驱动功率大等优点，因此是制作水声换能器、超声换能器、精密位移器，制动器和智能器件的理想材料。同时又具有很高的介电常数，相对较低的烧结温度和由“弥散相变”引起的较低电容温度变化率及频率色散等诸多特性，被认为是新一代多层陶瓷电容器在技术上和经济上兼有最佳候选材料。该材料在航海、航空、航天飞行器的精确制导、自适应自诊断结构、光学与精密机械加工、自动控制、生物医学工程等技术领域有着广泛的应用前景。 1.2国内外研究现状与进展 新型弛豫铁电体PMN-PT由于具有优越的压电性能而备受关注[1]，Science和Nature杂志分别在1997年3月和2000年1月进行了介绍[2,3]，并且，随着大尺寸高质量晶体的成功生长[4,5]，作为很有潜力的压电材料，将会越来越受到重视。美国和日本正在积极投入大量的人力和物力，进行弛豫型单晶铁电材料的制备研究和应用开发的工作。另外弛豫铁电体单晶材料在巨大压电换能器的应用拥有市场，并且新型铁电单晶材料在新一代未来武器系统中有着广泛的应前景，因而，对于弛豫型铁电压电单晶材料的研究具有很大的紧迫性。 1996年，应国际铁电学界的邀请，在美国HP公司等企业资助下，中国科学院上海硅酸盐研究所范式研究员和罗豪甦研究员两小组率先在国内开展新型弛豫铁电晶体生长及相关基础研究，分别主攻PZN-PT和PMN-PT晶体。采用该所擅长的坩埚下降法生长技术，建立了从原料制备、籽晶发育到腐蚀、定向等一整套工艺，通过优化生长参数，在晶体质量和尺寸上都达到了国际先进水平，引起了国内外同行的极大关注[6,7]。近年来，徐家跃研究小组在PZNT晶体生长方面开展了大量的技术创新工作，先后发明了两步法、底部籽晶法等多种新工艺，已生长出直径40mm、高均匀性的PZNT晶体[8-10]。罗豪甦研究小组在PMNT晶体物理性能和原型器件研究方面取得了一些重要结果，显示弛豫铁电晶体良好的应用前景[11-14]。国内其他机构，包括安徽光学精密机械研究所、西安交通大学、北京工业大学等也先后开展了晶体生长的相关研究工作。西安工业大学和西安交通大学合作，采用Bridgman法与ACRT相结合的方法生长出了68PMN-32PT单晶体。中国科学院声学研究所、中船715研究所等在器件应用方面开展了大量的研究工作。 我国在高温压电材料的研究方面目前处于上升阶段，与国际水平相比还有较大差距，高温压电器件主要依赖于进口，且常常受到西方国家禁运的限制，因此开发在尽可能高的温度环境中稳定工作，并同时具有较强压电性能的压电材料， 是我国在高新技术领域迫切需要解决的问题。 用于制备高温压电器件的材料必须满足以下三个基本条件：一、具有较高的居里温度；二、具有较高的压电常数；三、易于加工制备且原材料廉价。 在众多高温压电材料中，铌锌酸铅-钛酸铅（PZN-PT）和铌镁酸铅-钛酸铅（PMN-PT）材料体系的研究颇多，特别是准同型相界附近的PMN-PT和PZN-PT材料以其高压电系数，高介电系数，高应变，高储能密度引起功能材料领域的科学家和大公司的关注，其性能性能指标较之BT和PZT压电陶瓷高出几十倍，甚至上百倍，然而其居里温度都比较低(170℃以下)，特别三方-四方铁电相变转变温度一般在100℃，因此在较高工作温度(150℃以上)下PMN-PT材料的应用受到了局限。比如在大功率密度超声传感器和驱动器、水声换能器、高温电容器等领域所要求压电材料具有较高的居里点温度，以保证其工作温度区间足够宽，显然PMN-PT和PZN-PT材料尚不能满足使用要求。 21世纪初，Yohachi Yamashita等人研究了用布里奇曼法生长并研究了三元系弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3（简称PIN-PMN-PT）和Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3PbTiO3（简称PSN-PMN-PT）并测试了晶体电学性能[15]。它们有很高的压电常数和居里温度，PIN-PMN-PT单晶的居里温度大于185℃，介电常数ε高达3630。PSN-PMN-PT单晶有更高的居里温度，大于200℃。然而PSN-PMN-PT单晶的生长很困难，因为Pb(Sc1/2Nb1/2)O3的熔点很高，达到1420℃。PSN-PMN-PT晶体的机电耦合系数Kp为70％，压电常数d33达到680pC/N。居里温度高达207℃，这些性能都优于PIN-PMN-PT晶体。 2 本课题研究主要内容和拟采用的研究方案、研究方法或措施 2.1本课题研究的主要内容 依据PSN