候选人的主要技术成就科技成果及创新点.pdfVIP

姓 名 杨成锐 性 别 男 出生年月 1976.10 出生地 广东阳春 国 籍 中国 来所工作 全职 最快到岗时间 2011.12 形式 现工作单位及职位 广州创天微电子有限公司 技术经理 人事关系所在单位 广东风华高新科技股份有限公司 学习及工作经历 （从大学开始，包括时间、单位、专业、学位、任职情况，注意时间段 要连续，准确到月份） ： 1994.9-1998.9：电子科技大学 电子材料与元器件专业 学士学位 1998.9-2005.2：广东风华高新科技股份有限公司 工艺技术员 技术开发组长 2005.2-2010.2：潮州三环集团股份有限公司 技术员、项目主管 2010.2-2010.12: 肇庆市羚光电子化学品材料科技有限公司 半职 技术顾问 2010.12 至今：广州创天微电子有限公司 技术经理 一、候选人的主要技术成就、科技成果及创新点： 1 在广东风华高新科技股份有限公司工作时 开发的 X7R302陶瓷材料已经生产超 100 吨，生产出超过 50 亿只电容器供世 界各地的电器使用。目前此瓷料还在生产。 开发的抗还原 X7R272 材料是国内首个产业化的贱金属多层陶瓷电容器用材 料。如果算上后面的改进型，该材料已经生产超 200 吨。 开发的抗还原 C0G300材料，如果算上后面的改进型，该材料也已生产近百 吨。 开发的程控交换机用低电阻率高耐压 PTC材料达到当时世界领先的西门子公 司产品的水平。 2 在潮州三环集团股份有限公司工作时 开发的 0201 片式电阻用氧化铝陶瓷基片是国内第一次能批量化生产的小于 0.2 厚度的基片，更重要的是它纠正了氧化铝陶瓷基片生产上的一些误区， 为氧化铝陶瓷基片在提高直角度、平行度、收缩率一致性等指明方向。 开发的 SOFC电解质基片的产业化，给予 Bloom Energy 公司巨大的帮助，为 推动 SOFC事业发展作出了贡献。 参与开发的陶瓷基座项目， 打破了国外厂家的垄断， 该项目目前已经产业化。 开发的高反射 LTCC材料，达到杜邦公司产品的水平，但使用非熔融玻璃的 工艺，降低了生产成本，该材料应用于 LED陶瓷基座项目。 3 在广州创天微电子有限公司工作时 -4 开发的晶界层半导体电容器材料， 介电常数达 35000、介质损耗 200 ×10 , 温度特性满足 X7R要求 , 达到国际同类产品水平。 二、候选人领导或参与过的项目： 广东风华高新科技股份有限公司： 协助开发多层陶瓷电容器用 Y5V材料 主持多层陶瓷电容器用 X7R材料的技术开发及生产。 主持贱金属多层陶瓷电容器用 X7R、NP0材料的技术开发及生产。 主持 PTC陶瓷的技术开发及生产。 潮州三环集团股份有限公司： 主持 0201 片式电阻用氧化铝陶瓷基片技术开发与生产。 主持 SOFC电解质的技术开发与生产。