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图像传感器集成微透镜阵列设计教案 图像传感器集成微透镜阵列设计教案 PAGE / NUMPAGES 图像传感器集成微透镜阵列设计教案 南昌航空大学科技学院 2014 届学士学位论文 绪论 1.1 、CCD的发展现状 自从 1970 年美国贝尔实验室研制成功第一只电荷耦合器件 (CCD)以来，依靠业已成熟的 MOS 集成电路工艺， CCD技术得以迅速发展 【2 】。CCD 图像传感器作为一种 新型光电转换器现已被广泛应用于摄像、 图像采集、扫描仪以及工业测量等领域。 作 为摄像器件，与摄像管相比， CCD图像传感器有体积小、重量轻、分辨率高、灵敏度 高、动态范围宽、光敏元的几何精度高、光谱响应范围宽、工作电压低、功耗小、寿 命长、抗震性和抗冲击性好、 不受电磁场干扰和可靠性高等一系列优点 【 5】 。其应用领 域也极其广泛，涉及到航天、航空、遥感、卫星侦察、天文观测、通讯等众多领域。 CCD 图像传感器经过近 30 年的发展，目前已经成熟并实现了商品化。 CCD 图像传感器从最初简单的 8 像元移位寄存器发展至今，已具有数百万至上千万像元 【 12】。 由于 CCD 图像传感器具有很大的潜在市场和广阔的应用前景，因此，近年来国际上 在这方面的研究工作进行得相当活跃，美国、日本、英国、荷兰、德国、加拿大、俄 罗斯、南韩等国家均投入了大量的人力、物力和财力，并在 CCD 图像传感器的研究 和应用方面取得了令人瞩目的成果 【 1】。美国和日本的器件和整机系统已进入了商品化 阶段。 CCD 的发展趋势是高分辨率、高速度和微型化。从 1993 年德州仪器公司报道 1024× 1024 像元 CCD 开始，目前 CCD 像元数已从 100 万像元提高到 2000 万像元 以上。福特空间公司还推出了 2048 ×2048、4096×4096 像元帧转移 CCD。在摄像机 方面，日电公司制成了 4096 × 5200 像元的超高分辨率 CCD 数字摄像机，分辨率高 达 1000× 1000 条 TV 线。加拿大达尔萨 (Dalsa) 公司报道了 5120 ×5120 像元帧转 【10】 7000× 9000 像元 CCD。1997 年美国 移 CCD 。荷兰菲利浦成像技术公司研制成功了 EG＆G·Retion 研制出 6144 × 6144、8192×8192 像元高分辨率 CCD 图像传感器。 亚利桑那大学报道了 9126×9126 像元 CCD，1999 年欧洲南部天文开发成功 8184 × 8196 像元多光谱、宽视场 CCD 摄像器件，并计划在 2001 年开发出 16000 ×16000 像元的 CCD。 1998 年日本采用拼接技术开发成功了 16384 ×12288 像元即 (4096 × 3072) ×4 像元的 CCD 图像传感器 【8-9 】 。目前美国、日本、德国和法国的部分公司已 1 南昌航空大学科技学院 2014 届学士学位论文 开发出长线阵和大面阵可见光 CCD 图像传感器。另外，法国、美国和日本的部分公 司还研制出具有多针相模式工作的 CCD(即 MPP－ CCD)图像传感器。 国内 CCD 图像传感器的研制工作也在稳步地进行。 目前第一代普通线阵 CCD 图像传感器 ( 光敏元为 MOS 结构 ) 和第二代对蓝光响应特性好的 ( 光敏元为光电二极管阵列 )CCPD 均已形成 128 、 256、512、1024、1728、2048、2500 像元的系列产品在实验室已做出了 3456 、4096 像元的 CCPD 样品；面阵 CCD 图像传感器已研制出 256 ×320、512×320、491×384、580×394、512× 512、600×500、756×581、800× 800 像元器件。在实验室已研制出了 1024 × 1024，2048×2048 像元的器件，基本上形成了系列化产品 【2-3 】。随着器件性能的改进， CCD 摄像机也将得到迅速发展。 除可见光 CCD 图像传感器外， 国内目前还研制出了线阵 64 、128、256、1024 像元和面阵 32 ×64、128× 128、256×256 像元硅化铂肖特基势垒红外 CCD(PtSi IRCCD) 【6 】 。目前国内正在研制和开发的 CCD 有：512×512 像元 X 射线 CCD、512× 512 像元光纤面板耦合 CCD像敏器件、 512× 512 像元帧转移可见光 CCD、1024×1024 像元紫外 CCD、1024 像元 X 射线 CCD、 512 ×512 像元 PtSi IRCCD 、微光 CCD 和多 光谱红外 CCD等【 9】。但由于受经费、设备等因素影响，国内 CCD 图像传感器的研究 进展尚不够迅速