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门电路; 本章总的要求： 熟练掌握TTL和CMOS集成门电路输出与输入间的逻辑关系、外部电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性等；掌握各类集成电子器件正确的使用方法。 重点： TTL电路与CMOS电路的结构与特点. ;3.1 概述;3.2 半导体二极管门电路;ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开， uo＝0V。;ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源， uo。; 当外加电压突然由正向变为反向时，存储电荷反向电场的作用下，形成较大的反向电流。经过ts后，存储电荷显著减少，反向电流迅速衰减并趋于稳态时的反向饱和电流。; 反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间，它远大于正向导通所需要的时间。这就是说，二极管的开通时间是很短的，它对开关速度的影响很小，以致可以忽略不计。 ;§3.2.2 二极管与门;§3.2.3 二极管或门;3.3 CMOS门电路;G;vGS=0时;;二、MOS管的输入、输出特性;夹断区〔截止区〕;可变电阻区;恒流区： (又称饱和区或放大区〕;三、MOS管的根本开关电路; 当vIVGS(th)且vI继续升高时，MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小，D-S间相当于闭合的开关,vO≈0。;四、MOS管的四种根本类型;G;§3.3.2 CMOS反相器工作原理 ;;vI=1;二、电压传输特性和电流传输特性 ;电 流 传 输 特 性;输入低电平时噪声容限：;噪声容限－－衡量门电路的抗干扰能力。 噪声容限越大，说明电路抗干扰能力越强。; 因为MOS管的栅极和衬底之间存在着以SiO2为介质的输入电容，而绝缘介质非常薄，极易被击穿，所以应采取保护措施。;iI (mA);二、输出特性 ;§3.3.4 CMOS反相器的动态特性 ;二、交流噪声容限 ;§3.3.5 其他类型CMOS门电路 ;任一输入端为低，设vA=0;输入全为高电平;;任一输入端为高，设vA=1;输入端全为低;3. 带缓冲级的CMOS门电路; 带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及 电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的 转折区也变得更陡。;二、漏极开路输出门电路〔OD门〕;;RL的选择：;VIH;①C＝0、 ，即C 端为低电平（0V）、 端为高电平 （＋VDD）时， T1和T2都不具备开启条件而截止，输 入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。;②C＝1、 ，即C 端为高电平（＋VDD）、 端为低电平（0V）时，T1和T2至少有一个导通，输入和输出之间相当于开关接通一样，呈低阻态，vo＝vi 。;;;;;双向模拟开关; , G4输出高电平，G5输出低电平，T1、T2 同时截止，输出呈高阻态；;;;§3.3.6 CMOS电路的特点 ; 1．输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电压，从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器件的永久损坏。为防止静电损坏，应注意以下几点： ; 〔1〕所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。 〔2〕存储和运输CMOS电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。;3.5 TTL门电路;二、双极型三极管的输入特性和输出特性 ;三、双极型三极管的根本开关电路 ;三极管临界饱和 时的基极电流：;②ui=时，因为uBE，iB=0，三极管工作在 截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：;③ui＝3V时，三极管导通，基极电流：;四、双极型三极管的开关等效电路 ;(2)饱和状态;　三极管开关等效电路 (a) 截止时 (b) 饱和时;ui;BJT的开关时间：是指BJT管由截止到饱和导通 或者由饱和导通到截止所需要的时间。;存储时间ts—从输入信号降到-VB1到icICS 所需要的时间； ; 参加－VEE的目的是确保即使输入低电平信号稍大于零时，也能使三极管基极为负电位，从而使三极管 可靠截止，输出为高电平。;;输入级;1.输入为低电平〔0.2V〕时;1.输入为低电平〔0.2V〕时;2.输入为高电平〔3.4V〕时;2.输入为高电平〔3.4V〕时; 可见，无论输入如何，T4和T5总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，带负载能力很强。;;;;; 输出高电平VOH、输出低电平VOL;输入低电平时噪声容限：;一.输入特性:;;;前后级之间电流的联系;前级输出为 高电平时;前级输出为 低电平时;扇出系数