晶体生长第四章 界面稳定性和组分过冷.doc

第四章 界面稳定性和组分过冷 §1. 界面稳定性的定性描述 温度梯度对界面稳定性的影响: K01 z z 晶体 0 T℃ Tm℃ T1 熔体 晶体 熔体 晶体 熔体 (a) 稳定生长 z 晶体 0 T℃ Tm℃ T1 熔体 晶体 熔体 晶体 熔体 (b) 枝晶生长 z 晶体 0 T℃ Tm℃ T1 熔体 晶体 熔体 晶体 熔体 (c) 胞状结构生长 浓度梯度对界面稳定性的影响: K01 温度梯度 温度梯度 温度T℃ 晶体 熔体 0 距离 距离z CL(0) 浓度C% δ 晶体 熔体 0 (b)固液界面处的溶质分布(溶质边界层) CL T Tm℃ 凝固点 距离 距离z (a) (a)固液界面邻近的温度分布 C CL (z) 距离z 溶液凝固点的变化 温度T℃ δ 晶体 熔体 0 (d)溶液凝固点分布以及组分过冷区的形成 Tm T(0) CL(0) 温度T℃ T(0) Tm 0 (c)凝固点与浓度的关系 CL 距离 距离z 临界温度梯度 温度T℃ 晶体 熔体 0 (e)临界组分过冷条件的建立 Tm T(0) 组分过冷现象(Constitutional Supercooling),它与界面熔体负温度梯度所出现的现象相似. 界面能对界面稳定性的影响 界面干扰: 微米级—界面能作用大 超过微米级—界面能作用较小 §2. 产生组分过冷的临界条件 界面处温度分布曲线与凝固点曲线相切的条件—组分过冷条件。 T(CL)=T0+mCL (前图Tm所示) T(z)关于z求导，令z=0 最小温度梯度，m为液相线斜率。 或 产生组分过冷的条件 G↓、V↑ 产生组分过冷 CL↓，m小，D↑，k0→1 不易产生组分过冷 CL=0， k0= 1 无组分过冷 D：搅拌大，等效于D大，不易产生组分过冷。 组分过冷层的厚度： 凝固点曲线和温度分布曲线（直线）的交点坐标 z≠0的实解 对流传输的影响 组分过冷临界条件——溶质扩散是维一的传输机制。 考虑对流影响： Cs=Keff ·CL 令z=0 可得： 或： 产生组分过冷的条件 令δ→∞，上式还原为： §4. 界面稳定性的动力学理论 干扰 z(x,t)=δ(t)Sinωt λ=2π/ω δ(t)=常数·exp(Pt) 单位振幅的变率 P0 界面不稳定 P0 界面稳定 θ θ 液相 固相 z θ为面法线与z轴夹角（弧线） z(x,t)=δ(t)Sinωx 平界面上正弦式的几何干扰[12] V(x)=V+Sinωx K=1/r1 TLφ Tsφ r1 λ=2π/ω 2．表达式 研究稳定性，主要关心符号： （1）（分母） k01 m、GLC负；k01 m、G ∴ ， 故 ， 2ωmGLC0 k01,m和GLC为负；k01,m和GLC为正 故分母恒为正。 （2）考察分子的符号: 以正量 除分子,可得函数S(ω),于是S(ω)的正负,决定了界面稳定性. ; ; ks、kL为热传导系数. 第一项: 恒为正,加负号后稳定界面. 第二项：1/2( + ） 它表明了温度梯度对界面稳定性的影响。 第三项：同样恒为正值，故总是使界面不稳定的。 其中 mGLC: 说明界面前沿出现了溶质边界层。 说明沿界面扩散（热、溶质）不足，能使界面稳定（不使之继续长大）。 由于LDL “热扩散不足”希望不大，关键是“溶质沿界面扩散不足”对界面稳定的贡献。扩散长度≈干扰波波长；（扩散不足的判据），因此长波干扰，容易出现扩散不足问题，对稳定界面有益。 扰波长对界面稳定性的影响 f( f(ω) ωmax ω0 3 2 1 ω ω00 不稳定 稳定 不同生长条件下δ′/δ=f(ω)函数的可能的类型 ω0ωω00 f(ω) ωω00 短波(ω↑),界面能起作用,界面稳定. ωω0 长波(ω↓),沿界面扩散不足,界面稳定. ω=ωmax 危险频率 §5. 界面稳定性的动力学理论和组分过冷 忽略界面能效应,令Г=0;又不考虑沿界面扩散不足的问题,DL→∞,于是 mGLC,界面不稳定. 代入: 若 GST=GLT=GL 则上式变为: