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北京化工大学硕士学位论文
备的A1 /AgNPs-GO /ITO存储器的电双稳态性进行了测试与探讨。
石墨烯及其衍生物除具有优良的电性能还具有优良的光学性能。石墨
烯量子点(GQDs)作为一种新兴荧光材料,具有极好的生物相容性,光
学 定性,可调节的荧光性能,在光电器件中有着广阔的应用前景。但
GQDs与上述的固态器件集成,必须在基板上的预定位置图案化。本课题
成功制备了具有 良好荧光性能,分散均匀,粒径分布范围约为1.50—4.00
nnl,平均粒径约为2.21 nm的GQDs 。进一步设计GQDs与光固化树脂复
合,通过紫外光固化的方式,成功地将GQDs图案化,制备了一系列无色
透明又具有一定荧光性能的图案,为GQDs进一步应用于发光元器件提供
可能。
综上所述,本文将石墨烯基复合材料应用于光、电信息存储领域,制
备了具有电双 态性的A1 /AgNPs.GO /ITO RRAM型存储器,为RRAM型
存储器中间活性层材料提供了更多的选择。同时,制备了具有良好荧光性
能的GQDs,进一步将GQDs与光固化树脂复合,通过紫外光固化的方式
将GQDs图案化,为GQDs应用于发光元器件领域奠定了基础。
关键词:石墨烯,银纳米粒子,RRAM型存储器,石墨烯量子点,荧光
图案
万方数据
PREnUU虹’IoNOF GRAPHENE BASEDCoMPoSITE
MATER工ALS AND ITSAPPLICATIoN IN THE FIELD oF
oPToELECTRoNIC矾FoRMATIoNSToRAGE
ABSTRACT
Graphene is a 2D crystal which formed by sp2 hybrid carbon atoms in
hexagonal lattice with an only one atom layer thickness.Because of its unique
two-dimensional structure,graphene has a special energy band structure and
ultra high cartier transmission speed.So graphene has a promising prospect in
the field of microelectronics,such as the preparation of RRAM memory.At
the same time,the surface of graphene oxide(GO)contains a lot of
oxygen-containing functional groups ,like carboxyl ,hydroxyl group and
epoxy group,and a large number of conjugate structure,SO graphene oxide has
certain fluorescence characteristics and Can be applied to light emitting
devices.Therefore,according to its excellent optical and electrical properities,
this thesis mainly described fabracation of the graphene-based RRAM
memory and graphene quantum dot-based fluorescent composite material,and
explored theapplication inthe related field.
Conventional RRAM memory active layer materials mostly are
perovskite oxide,binary transition metal oxides(e.g.,NiO,Ti02,ZnO,etc.),
万方数据
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