第七章其它化学俗合成方法3.pptVIP

3、等离子体中的各种现象 ;　弹性碰撞与非弹性碰撞;　碰撞截面;　碰撞频率和平均自由程;2）激发和电离;（2）亚稳态粒子的作用;亚稳态粒子的累积电离;（4）离子碰撞电离;3）复合过程;两个电子在某个离子附近相互作用，其中一电子将能量交给另一个电子后落入离子的静电场中形成束缚电子，刚束缚的电子一般处于高能级上，再通过自发辐射或碰撞激发回到基态，即，;（4）正负离子碰撞复合 ;　迁移运动与迁移率;　热致电离等离子体;7.2.3 低温等离子体的形成与放电特性;电晕放电;2、放电特性;辉光放电是低温等离子体的同义语;（2）高频辉光放电;（3）微波放电;　微波等离子体的特征;7.2.4 等离子体化学的应用;2、光刻与刻蚀;光刻与刻蚀;1、光刻的具体工艺;2、刻蚀;干法刻蚀 反应气体在等离子体条件下形成活化原子，在电场作用下定向运动与半导体材料进行化学反应，反应生成物为气体被排出，达到定向刻蚀的目的 通常有RIE（反应离子刻蚀），RIBE（反应离子束刻蚀），ICP（感应耦合型等离子体）等方法 干法刻蚀一般需要用光刻胶或SiO2等介质膜作为掩模 干法刻蚀的突出优点是没有侧蚀问题，而且腐蚀深度可以精确控制 ;3、溅射成膜和离子镀;溅射方法：直流溅射、射频溅射、磁控溅射和反应溅射;直流溅射法的缺点： 溅射过程产生的二次电子经电场加速碰撞薄膜的表面从而损伤膜面。也造成基体表面升温，需对基体冷却。仅限于使用金属靶或电阻率在10　　　以下的非金属靶。制成的薄膜中含有较多的气体分子，薄膜的生长速度太慢。;　离子镀 离子镀以蒸发源为阳极，在压力的氩气中向基板施加很高的负电压，发生辉光放电。电离后的蒸发原子被静电加速射到基板上，形成优异的薄膜。从利用低温等离子体的离子、激发粒子成膜的特点来看，这方法优于普通的真空气相沉积法。;PVCD技术;PCVD技术的应用; 金属表面改性; 高聚物的表面改性 ??? 等离子体法可改善高聚物的亲水-疏水性、黏结性、耐热耐蚀性和抗辐射等表面特性，赋予其特殊的光—电性和生物适应性等。改性层极薄，一般为单分子膜，不会影响材料的固有性能；为低温(300℃以下)气相法干处理，适用???广、操作方便、无污染。如用氧等离子体处理，高聚物表面可生成含氧基团，改善其润湿性、黏结性和可印刷性。硅橡胶、聚四氟乙烯、聚丙烯等经处理后，黏结强度可提高5－10倍。采用氮等离子体，则可引进含氮基团，等等。; 等离子体聚合 　是指有机单聚物的单种气体，或者单聚物与其他气体的混合气体感应辉光放电后，由生成的激发单体在基板上　制备聚合膜的方法。 　聚合过程中的生成膜由于电子轰击作用在烷基任意位置产生基团，由基团进行支化、交联反应。普通聚合要求单体有双键的特定官能团，在高压下合成。具有高度交联的网状结构的非晶膜，无气孔，化学稳定性、耐热性非常好，可作保护膜。;一、光的波长与能量;二、光化学基本定律;三、光化学反应的特征;初级过程是分子吸收光子使电子激发，分子由基态提升到激发态，激发态分子的寿命一般较短。光化学主要与低激发态有关，激发态分子可能发生解离或与相邻的分子反应，也可能过渡到一个新的激发态上去，这些都属于初级过程（包含有激发态的过程）。 次级过程：初级过程以后发生的任何过程。 　例如氧分子光解生成两个氧原子，是其初级过程；氧原子和氧分子结合为臭氧的反应则是次级过程，这就是高空大气层形成臭氧层的光化学过程。;3、量子效率(quantum efficiency);4、量子产率(quantum yield);5、量子产率(quantum yield);6、分子的重度(multiplicity of molecule);单重态(singlet state);单重态(singlet state);三重态(triplet state);三重态(triplet state);单重态与三重态的能级比较;激发到S1和T1态的概率;激发到S1和T1态的概率;四、光化学的种类 1）放出所吸收的光，恢复到基态。 2）必不出射线而恢复到基态，吸收的能量作为分子内部振动能被消耗掉。 3）分子间的能量迁移能够激发其他分子，即光激活反应，如水银。 4）激发分子间反应，或者通过分解反应产生新的化合物。;五、光化学的应用;2、光化学气相沉积（光CVD） 光化学的特点：分子不需逐级跃迁而是受激发后直接在内部自由度越过活化势垒，不需要热激发，能进行低温合成。离子化状态成膜溅射法和PCVD法离子撞击膜，容易出现缺陷。而光CVD可获得基本无损伤、杂质少的优质薄膜。;3、光激发蚀刻;　烧蚀也称为熔融蒸发，激光照射的称为APD。是以高强度短波长的紫外激光照射材料，被照射部分产生爆炸性分解，释放出粒子。特点是非照射部分没有热损伤和变形，可用于微细加工。另外，烧蚀的爆炸性蒸发现象，可用来堆积薄膜，