第5章 嵌入式系统石设计技术.ppt

4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.1 嵌入式硬件系统设计概述;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;;;;;;4.2 S3C44B0x最小应用系统设计;4.3 最小应用系统各单元电路设计;4.3 最小应用系统各单元电路设计;4.3.2 电源电路设计 嵌入式应用系统的设计中，电源电路是必须要考虑的单元电路。一般希望开发板中电源的种类越少越好，这在器件选型中就要引起足够的重视。但随着芯片技术的发展，芯片需要的工作电压的种类也越来越多，这其中有芯片工作速度的客观要求，也有低功耗等原因。 本开发板中，因为前期器件选型的过程中就已经把电源问题考虑进去了，所以最终设计的开发板上只存在三种直流电压：5 V、3.3 V和2.5 V。其中，5 V作为输入电压直接提供给开发板，设计的时候只需要考虑选用DC／DC变换器，分别将5 V电压降到3.3V和2.5V，供给后续电路即可。但各个DC／DC变换器输出的电源功率必须要大于后续供电电路功耗的总和。 ;S3C44B0x的内核需要2.5V的直流电压，CPU的I／O及其连接的外围器件都需要3.3V直流电压供电，最后选用National Semiconductor的LMl117作为电压变换芯片。它们的型号和对应的电流输出如下： LM1117-3.3 1.5 A LMl1117-2.5 1.5 A 设计者还可以根据系统的实际功耗，选择其他不同的器件。 开发板最终使用的电源电路如图4-4所示 ;4.3 最小应用系统各单元电路设计;4.3.3 晶振电路与复位电路的设计 晶振电路用于向CPU及其他电路提供工作时钟。在本开发板中，根据S3C44B0x的最高工作频率以及PLL电路的工作方式，如果选择10 MHz的外接晶振，经过S3C44B0x片内的PLL电路倍频后，最高可以达到66 MHz。片内的PLL电路兼有频率放大和信号提纯的功能，因此系统可以用较低的外部时钟信号获得较高的工作频率，以降低因高速开关时钟所造成的高频噪声。;在系统中，复位电路主要完成系统的上电复位和系统运行时用户的按键复位功能。复位电路可由简单的RC电路构成，也可使用其他的相对较复杂但功能更完善的电路。 本系统采用了下面的复位电路结构，经使用证明，其复位逻辑是可靠的。复位电路如图4-5所示：;4.3 最小应用系统各单元电路设计;4.3.4 Flash存储器接口电路的设计 1．Flash存储器简介 Flash存储器是一种可在线(In-System)进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在线编程(烧写)、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器，Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。Flash存储器分为NAND和NOR两种，下面对这两种存储器做一个比较分析，以便以后设计者在选用Flash存储器时有一个清晰的思路。;(1)NAND Flash和NOR F1ash的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年东芝公司发表了NAND F1ash结构，强调降低每比特的成本，具有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。那么，NAND闪存技术相对于NOR．技术有什么样的优点呢?NAND是高数据存储密度的理想解决方案，而对于只存储少量代码的情况，NOR闪存更适合一些。NOR的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在F1ash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率