第五章hbt异质结昊双极型晶体管.ppt

5.2 HBT的制作方法和结构 11 3、 HBT的结构设计 异质结双极晶体管的材料结构设计要求： 不同材料晶格常数应尽量接近（减少在界面处产生的位错、缺陷导致的载流子 复合要获得高增益,发射区与基区的材料组合要有大的 ΔEv . 异质结材料的热膨胀系数的一致性 材料的禁带宽度之差，导带和价带的断续量，材料迁移率。 5.2 HBT的制作方法和结构 12 3、 HBT的结构设计 发射区-基区异质结的设计考虑： HBT频率特性的提高, 依赖于减少发射结面积,减少发射区的掺杂浓度.发射区掺杂浓度的减小虽然使发射结电容降低了,但是增加了发射区电阻,因此,要与发射区的厚度等结合起来考虑 。 发射结大的HBT,要设法实现理想的组分渐变,保证HBT的电流增益.对于突变结HBT,选择大的的发射结材料组合 与基区的渡越时间有关 结论: 1.选择迁移率高的材料作基区 2.减少基区宽度,从而减少渡越基区时间 5.2 HBT的制作方法和结构 3、 HBT的结构设计 基区设计： 5.2 HBT的制作方法和结构 3、 HBT的结构设计 集电区设计： τＣ=ＷC /2Vs+Ｃc(ＲＥ+ＲＣ) 减小集电结电容:减少基区欧姆接触区面积和缩短发射区到基极接触的间距 . 自对准工艺形成基区的欧姆接触区，为保证一定的击穿电压和减少ＣＣ,收集区采用较低掺杂浓度。 5.2 HBT的制作方法和结构 3、 HBT的结构设计 发射区、基区和集电区掺杂浓度的选择 : 发射区掺杂浓度为1017cm-3 基区掺杂浓度在1018—1019ｃｍ-3 收集区的浓度为1016ｃｍ-3 ＥＣ的欧姆接触区浓度要大于1018ｃｍ-3 16 5.3典型结构HBT的性能 异质结双极性二极管（HBT）的能带间隙在一定范围内可以任意设计。 从这器件各区带隙宽度变化角度考虑 ，可以考虑如下几种情况： (1)宽带隙发射区结构 (2)缓变基区结构 (3)宽带隙集电区结构 (4)缓变集电区结构 从器件高速性能设计角度考虑，HBT有代表性的四种结构为： （1）突变发射结结构（2）缓变发射结结构（3）缓变发射结、缓变基区结构（4）突变发射结、缓变基区结构 以n-p-n型AlGaAs/GaAs HBT为例，分别讨论各典型结构HBT性能。 17 5.3典型结构HBT的性能 1、突变发射结HBT 通过改变异质发射结的组分来实现，其重要特点是发射结两边的导带底存在一个能带突变量△EC，阻碍电子从发射区流到基区，降低了发射结的注入效率。但在高速工作时，注入基区的电子速度较高，电子渡越基区的时间τB将变短，则特征频率 fT 升高。 突变发射结HBT能带图 18 5.3典型结构HBT的性能 为了提高HBT的电流增益,在几十纳米的距离上改变合金材料的组分比例将得到一个缓变异质结。例如AlxGa1-xAs，如果组分比例x从某一组分下降到零，则禁带将从较大的宽度缓变到GaAs的禁带宽度，电子亲和能则具有相反的变化趋势。 放大状态下，基极电流来自三个方面：发射势垒中的复合电流jer、基区内复合而必须补偿空穴损失的电流jbr 和基区向发射区注入的空穴电流jep；集电极电流主要来自发射极注入并穿过基区的电流jcn。 2、缓变发射结HBT 19 5.3典型结构HBT的性能 2、缓变发射结HBT 缓变发射结HBT热平衡状态下能带图和放大工作状态下能带图 20 5.3典型结构HBT的性能 2、缓变发射结HBT 共发射极电流增益可表示为： 根据晶体管理论： 所以 式中NE、NB分别为发射极区和基区掺杂浓度，vnb为基区靠近发射结处的电子平均速度，vpe为发射区靠近基区一侧的空穴平均速度，qVn、qVp分别为电子势垒和空穴势垒的高度。 21 5.3典型结构HBT的性能 2、缓变发射结HBT 表征高频和开关性能的参数—特征频率fT，由四个时间常数决定： 式中，τE为发射结电容充放电时间，τB为渡越基区时间，τC为集电极电容充放电时间，τx为集电结耗尽层信号延迟时间。对小信号情况，影响fT的主要因素是τE 和τB。 HBT的发射区掺杂浓度可以做的很低，则Ce小，从而τE很小，fT很高。 22 5.3典型结构HBT的性能 基区使用宽带隙材料，通过改变材料组分比例控制基区中带宽缓变，使之导带建立能带梯度△Egb也是很有意义的。对缓变基区结构的HBT，需要考虑基区内部漂移电场E的作用。设基区两端带隙之差为△Egb，则有 HBT中基区宽度WB往往做的很薄（约0.1μm），因此漂移电场V可以很大（BJT的漂移电场一般2～6kV/cm，HBT中可达20kV/cm），用这内建电场加速电子，能大大缩短基区输运时间。当△Egb=0.2eV时，由于漂移电场的作用，将使电子渡越基区时间缩短4倍，使器件频率、开关和放大性能都有明显改