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2.无输出电容(OCL)的互补对称放大电路 R1 RL R3 R2 D1 D2 T1 T2 +UCC A C + + ui ? + uo ? ?UCC OCL电路 OCL 电路需用正负两路电源。其工作原理与 OTL 电路基本相同。 *10.7 场效晶体管及其放大电路 10.7.1 绝缘栅场效晶体管 SiO2 绝缘层 源极 S 栅极 G 漏极 D P 型硅衬底 N+ N+ N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 结构示意图 D S G 符号 再在两个 N+ 型区之间的二氧化硅绝缘层的表面及两个 N+ 型区的表面分别安置三个电极:栅极G、源极 D 和漏极 D。 由于柵极电流几乎为零,栅源电阻 RGS 很高,最高可达 1014 ?。 构成:用一块杂质浓度较低的 P 型薄硅片作为衬底,其上扩散两个相距很近的高掺杂 N+ 型区。并在表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 UGS N+ N+ UDS 当栅 - 源电压 UGS = 0 时,D 与 S之间是两个 PN 结反向串联,无论 D 与 S 之间加什么极性的电压,总有一个 PN 结是反向偏置的,漏极电流 ID 均接近于零。 当在柵极和源极之间加正向电压但数值较小时(0 UGS UGS(th) ) ,由柵极指向衬底方向的电场吸引电子向上移动,填补空穴在 P 型硅衬底的上表面形成耗尽层, 此时仍然没有漏极电流。 当 UGS 大于一定数值时(UGS UGS(th) ),在栅极下 P 型半导体表面形成 N 型层,通常称它为反型层。这就是沟通源区和漏区的 N 型导电沟道(与 P 型衬底间被耗尽层绝缘)。UGS 正值越高,导电沟道越宽。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 N 型导电沟道 N+ N+ ?UGS + EG 形成导电沟道后,在漏-源电压 UDS 的作用下,将产生漏极电流 ID ,管子导通。 在一定的漏 - 源电压 UDS 下,使管子由不导通变为导通的临界栅 - 源电压称为开启电压,用 UGS(th)表示。 只有当 UGS UGS(th) 后, ID 才随栅 - 源电压的变化而变化,这就是 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的栅极控制作用。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 UDS ID N+ UGS N+ N沟道 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的导通 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的特性曲线 (1)转移特性 栅 - 源电压对漏极电流的控制特性 (2)输出特性 ID /mA O UDS / V UGS = 1V 2V 4V 3V N 沟道增强型管的输出特性曲线 ID /mA O UGS / V 无沟道 有沟道 UGS(th) UDS = 常数 N 沟道增强型管的转移特性曲线 P 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 SiO2 绝缘层 结构示意图 N 型硅衬底 源极 S 栅极 G 漏极 D P+ P+ 其工作原理与 N 沟道管相似,接线时应调换电源的极性,电流方向也相反。 跨导是表示场效晶体管放大能力的参数,它是当漏 - 源电压 UDS 为常数时,漏极电流的增量 ?ID 与引起这一变化的栅源电压的增量 ?UGS 的比值,即 D S G 符号 漏 - 源击穿电压 UDS (BR) 、栅 - 源击穿电压 UGS (BR) 以及漏极最大耗散功率 PDM 是管子的极限参数,使用时不可超过。 *10.7.2 场效晶体管放大电路 下图是 场效晶体管的分压式偏置共源极放大电路 C1 +UDD + S G D RD RG1 RG RG2 T RS RL CS C2 + ui ? + uo ? 分压式偏置放大电路 静态时,电阻 RG 中无电流,栅 - 源电压为 式中,VG 为栅极电位。 当有输入信号时,由交流通路可得输出电压为 S G D RD RG1 RG RG2 T RL 分压式偏置放大电路的交流通路 + ? + ? 电压放大倍数为 式中,的负号表示输出电压和输入电压反向。 放大电路的输入电阻为 放大电路的输出电阻为 ro ? RD 。 [例 1] 在分压式偏置共源极放大电路中,已知 UDD = 20 V,RD = 5 k?,RS = 1.5 k?,RG1 = 100 k?,RG2 = 47 k?,RG = 2 M?,RL = 10 k?,gm = 2 mA/V,ID = 1.5 mA。试求:(1)静态值;(2)电压放大倍数。 [解] (1)静态值 (2)电压放大倍数 下图是由场效晶体管构成的源极输出器,它和晶体管的射极输出器一样,具有电压放大倍数小于但近于 1,输入电阻高输出电阻低等特点。 C1 +UDD RG1 RG RG2 T RS C2 +
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