电工学简明教程第三版全书课件电子教案汇总.ppt

2．无输出电容(OCL)的互补对称放大电路 R1 RL R3 R2 D1 D2 T1 T2 +UCC A C + + ui ? + uo ? ?UCC OCL电路 　　OCL 电路需用正负两路电源。其工作原理与 OTL 电路基本相同。 *10.7　场效晶体管及其放大电路 10.7.1　绝缘栅场效晶体管 SiO2 绝缘层 源极 S 栅极 G 漏极 D P 型硅衬底 N+ N+ N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 结构示意图 D S G 符号 　　再在两个 N+ 型区之间的二氧化硅绝缘层的表面及两个 N+ 型区的表面分别安置三个电极：栅极G、源极 D 和漏极 D。 　　由于柵极电流几乎为零，栅源电阻 RGS 很高，最高可达 1014 ?。 　　构成：用一块杂质浓度较低的 P 型薄硅片作为衬底，其上扩散两个相距很近的高掺杂 N+ 型区。并在表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 UGS N+ N+ UDS 　　当栅 - 源电压 UGS = 0 时，D 与 S之间是两个 PN 结反向串联，无论 D 与 S 之间加什么极性的电压，总有一个 PN 结是反向偏置的，漏极电流 ID 均接近于零。 　　当在柵极和源极之间加正向电压但数值较小时(0 UGS UGS(th) ) ，由柵极指向衬底方向的电场吸引电子向上移动，填补空穴在 P 型硅衬底的上表面形成耗尽层， 此时仍然没有漏极电流。 　　当 UGS 大于一定数值时(UGS UGS(th) )，在栅极下 P 型半导体表面形成 N 型层，通常称它为反型层。这就是沟通源区和漏区的 N 型导电沟道(与 P 型衬底间被耗尽层绝缘)。UGS 正值越高，导电沟道越宽。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 N 型导电沟道 N+ N+ ?UGS + EG 　　形成导电沟道后，在漏-源电压 UDS 的作用下，将产生漏极电流 ID ，管子导通。 　　在一定的漏 - 源电压 UDS 下，使管子由不导通变为导通的临界栅 - 源电压称为开启电压，用 UGS(th)表示。 　　只有当 UGS UGS(th) 后， ID 才随栅 - 源电压的变化而变化，这就是 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的栅极控制作用。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 UDS ID N+ UGS N+ N沟道 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的导通 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管的特性曲线 (1)转移特性 栅 - 源电压对漏极电流的控制特性 (2)输出特性 ID /mA O UDS / V UGS = 1V 2V 4V 3V N 沟道增强型管的输出特性曲线 ID /mA O UGS / V 无沟道 有沟道 UGS(th) UDS = 常数 N 沟道增强型管的转移特性曲线 P 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 SiO2 绝缘层 结构示意图 N 型硅衬底 源极 S 栅极 G 漏极 D P+ P+ 　　其工作原理与 N 沟道管相似，接线时应调换电源的极性，电流方向也相反。 　　跨导是表示场效晶体管放大能力的参数，它是当漏 - 源电压 UDS 为常数时，漏极电流的增量 ?ID 与引起这一变化的栅源电压的增量 ?UGS 的比值，即 D S G 符号 　　漏 - 源击穿电压 UDS (BR) 、栅 - 源击穿电压 UGS (BR) 以及漏极最大耗散功率 PDM 是管子的极限参数，使用时不可超过。 *10.7.2　场效晶体管放大电路 下图是 场效晶体管的分压式偏置共源极放大电路 C1 +UDD + S G D RD RG1 RG RG2 T RS RL CS C2 + ui ? + uo ? 分压式偏置放大电路 　　静态时，电阻 RG 中无电流，栅 - 源电压为 式中，VG 为栅极电位。 　　当有输入信号时，由交流通路可得输出电压为 S G D RD RG1 RG RG2 T RL 分压式偏置放大电路的交流通路 + ? + ? 电压放大倍数为 式中，的负号表示输出电压和输入电压反向。 放大电路的输入电阻为 放大电路的输出电阻为　　ro ? RD 。 　　[例 1]　在分压式偏置共源极放大电路中，已知 UDD = 20 V，RD = 5 k?，RS = 1.5 k?，RG1 = 100 k?，RG2 = 47 k?，RG = 2 M?，RL = 10 k?，gm = 2 mA/V，ID = 1.5 mA。试求：(1)静态值；(2)电压放大倍数。 [解]　(1)静态值 (2)电压放大倍数 　　下图是由场效晶体管构成的源极输出器，它和晶体管的射极输出器一样，具有电压放大倍数小于但近于 1，输入电阻高输出电阻低等特点。 C1 +UDD RG1 RG RG2 T RS C2 +