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PAGE PAGE 1 DAC的发展历史及前景展望 随着时间的推移，半导体处理和片内校准技术的进展，关于精密（集成电路）DAC的定义也不断变化。高精度12 位DAC一度被认为遥不行及；近年来，16 位精度已日益在精密医学、仪器仪表、测试和计量应用中得到广泛运用；在将来，掌握系统和仪器仪表系统甚至需要更高的辨别率和精度。  高精密应用目前要求18/20位、1 ppm精度数模转换器，以前只有笨重、昂贵、慢速的Kelvin-Varley分压器才能达到这一性能水平—属于标准试验室的专利，几乎不适用于现实仪器仪表系统。针对这类要求且采纳IC DAC组件，更便利的半导体1 ppm 精度解决方案已推出数年，但此类简单系统需要使用多种器件，需要不断进行校准，还需非常谨慎才可取得抱负精度，而且体积大、成本高（见附录）。长期以来，精密仪器仪表市场都需要一种更简洁，具有成本优势，无需校准或持续（监控），简洁易用，而且供应保证性能规格的DAC。目前，从16 位和18 位单芯片转换器（如DAC）自然升级已成为可能。  （AD）5791 1 ppm DAC  半导体处理技术、DAC架构设计和快速片内校准技术的进展使稳定、建立时间短的高线性度数模转换器成为可能。这种转换器可供应高优于1 ppm的相对精度、0.05 ppm/°C温度漂移、0.1 ppm p-p噪声、优于1 ppm的长期稳定性和1MHz吞吐量。这类小型单芯片器件保证性能规格，无需校准且简洁易用。AD5791及其配套基准电压源和输出缓冲的典型功能框图如图1所示。   图1：AD5791典型工作框图。  AD5791是一款单芯片、20 位、电压输出数模转换器，具有额定的1 LSB（最低有效位）积分非线性度(INL)和微分非线性度(DNL)，是业界首款单芯片1 ppm 精度的数模转换器（1 LSB@20位为220分之一 =1,048,576分之一 = 1 ppm）。该器件设计用于高精密仪器仪表以及测试和计量系统，与其他解决方案相比，其整体性能有较大提升，具有更高的精度、体积更小、成本更低，使以前不具经济可行性的仪器仪表应用成为可能。 其设计（如图2所示）采纳精密电压模式R-2R架构，利用了（最新）的薄膜电阻匹配技术，并通过片内校准例程来实现1 ppm精度。由于AD5791采纳工厂校准模式，因而运行时无需校准程序，其延迟不超过100 ns，可用于波形生成应用及快速掌握环路。   图2：DAC梯形结构。  AD5791不但供应精彩的线性度，而且可具有9 nV/Hz噪声密度、0.1 Hz至10 Hz频带内0.6 μV峰峰值噪声、0.05 ppm/°C温度漂移，且其1000小时长期稳定性优于0.1 ppm。  作为一种高电压器件，采纳双电源供电，最高±16.5 V。输出电压范围由正负基准电压（VR）EFP 和VREFN打算，供应了敏捷的输出范围选择。  AD5791 所用精密架构要求使用高性能外置（放大器）来缓冲来自3.4 k? DAC（电阻）的基准源，为基准输入引脚的加载感应供应便利，以确保AD5791的1 ppm线性度。AD5791需要一个输出缓冲来驱动负载，以减轻3.4 k?输出（阻抗）的负担——除非驱动的是一个极高阻抗、低（电容）负载——或者衰减处于容限之内并可猜测。  由于放大器为外置型，可依据噪声、温度漂移和速度的优化需要进行选择——并可调整比例因子——详细视应用需要而定。对于基准缓冲，建议采纳AD8676 双通道放大器，其具有低噪声、低失调误差、低失调误差漂移和低输入偏置（电流）的特点。基准缓冲的输入偏置电流特性特别重要，由于过大的偏置电流会降低直流线性度。积分非线性度的降低（单位：ppm）为输入偏置电流的函数，一般表示为：   其中，IBIAS 单位为 nA; VREFP 和 VREFN 的单位均为伏特。例如，对于±10 V的基准输入范围，100 nA的输入偏置电流将使INL提高0.05 ppm。  输出缓冲的主要要求与基准缓冲相像——唯一例外是偏置电流，由于它不影响AD5791的线性度。但失调电压和输入偏置电流可能会影响到输出失调电压。为了维持直流精度，建议将AD8675 用作输出缓冲。高吞吐量应用要求使用较高压摆率的快速输出缓冲放大器。  表1 列出了少数适用精密放大器的关键技术规格。   AD5791具有设计时间更短、设计风险更小、成本更低、（电路板）尺寸更小、牢靠性更高和保证性能规格的特点。  图3是一种（电路）示意图，其中以AD5791 (U1)作为精密数控1 ppm电压源，电压范围为±10V，增量为20 μV；以AD8676 (U2)作为基准缓冲；以AD8675 (U3)