MOS模拟集成电路的基本单元电路.pptVIP

MOS模拟集成电路的基本单元电路 第一节 MOS场效应管的特点 （1）MOS场效应管是一种电压控制器件；iD受uGS的控制。 （2）MOS场效应管是单极型器件，温度稳定性好，抗辐射能力强。 （3）输入电阻极高，一般高达109?~1012?。 （4）MOS场效应管所占芯片面积小、功耗很小，且制造工艺简单，因此便于集成。 （5）因MOS场效应管既有N沟道和P沟道器件之分，又有增强型和耗尽型之别，它们对偏压极性有不同要求。 （6）MOS场效应管跨导gm较低（约为双极型晶体管的1/40），所以为了提高增益，减小芯片面积，常采用有源负载。 （7）MOS场效应管存在背栅效应（也称衬调效应），为了减小栅源电压对漏极电流的影响，要保证衬底与沟道间的PN结始终处于反偏。 （8） MOS场效应管的不足之处除了跨导gm较低以外，还有其工艺一致性较差、输入失调电压大、工作频率偏低，低频噪声较大等。 MOS场效应管的特点 第二节 MOS场效应管的模型 1.简化的低频交流小信号模型 简化的低频小信号模型（ duBS=0） 求全微分得 正弦信号下 考虑到MOS管的输入电阻极高，(RGS可认为无穷大）。 若源、衬极相连，uBS=0,则可得简化的低频小信号模型如图 Ugs Uds Id + + - - 第二节 MOS场效应管的模型 2.高频交流小信号模型 MOS管完整的交流小信号模型如图 如果MOS管的源极与衬底相连，uBS=0,则它的高频小信号模型可以简化，其简化模型如图所示。 简化高频小信号模型 低频情况下，极间电容均可视为开路，于是也可得到简化低频小信号模型 一 场效应管的偏置电路 （一）自给偏置电路 (1) UGS = 0时, IS = ID RS两端电压为： US = IS RS (2) 由于 IG=0; UG =0: UGS = -IS RS = -ID RS 由此构成直流偏压，称为自给偏压方式。这种偏压方式只适合耗尽型FET。 1.基本型自给偏置电路 基本型自给偏置电路 第三节 场效应管的基本放大电路 2.改进型自给偏置电路 上述电路中RS起直流反馈作用，RS大，Q稳定； 但RS大Q点低。 问题：Q点低不仅使A?，且由于接近夹断，非线性失真加大。 (1) 由R1 、 R2分压，给RG一个固定偏压。 RG很大以减小对输入电阻的影响。 (2) 对于耗尽型FET： UGS = UDDR2 /(R1 + R2) -ID RS 此时： RS大Q点不会低。 显然对于JFET,当|US | |UG|时，放大器才具有正确的偏压。 改进型自给偏置电路 ID= IDSS[1－(UGS /UGS.off)]2 （二）外加偏置电路 外加偏置电路 对增强型MOSFET: UGS = 0时， ID =0，必须靠外加偏压 (1) 外加偏压 UGS = UDDR2 /(R1 + R2) RG很大以减小对输入 电阻的影响。 (2) 改进型外加偏压： UGS = UDDR2 /(R1 + R2) -ID RS 对增强型MOSFET,须保证|UG | |US|时，放大器才具有正确的偏压。 UG=UDDR2/(R1+R2) UGS= UG－US= UG－IDRS ID= IDSS[1－(UGS /UGS.off)]2 UDS= UDD－ID(Rd+RS) 共源基本放大 电路的直流通道 根据图可写出下列方程： 由上式可以解出UGSQ、IDQ和UDSQ。 二、三种基本放大电路 （一）共源组态基本放大器 (1)直流分析 电压增益为 1.未接CS时:等效电路如图: 一般 rds RD?? RL RS; rds可忽略。 （一） 共源组态基本放大器 二、三种基本放大电路 rds RD RL R2 R1 RG gmUgs Rs Ugs Ui Uo Ri’ Ro’ + + + - - - RL’=RD//RL 放大器的输入电阻为 放大器的输出电阻为 Ri’=RG+(R1// R2)? RG Ro’ = RD//rds ?RD 2 . 接入CS时: AU ?- gm RL’ Ri’=RG+(R1// R2)? RG Ro’ =RD // rds ? RD rds RD RL R2 R1 RG gmUgs Ugs Ui Uo Ri’ Ro’ + + + - - - rds RD RL R2 R1 RG gmUgs Rs Ugs Ui Uo Ri’ Ro’ + + + - - - 共漏放大器电路 电压增益为 其等效电路如图: （二） 共漏组态基本放大器 共漏放大器电路如图: Ri’= RG 输入电阻为 式中:RL’=rds//Rs // RL ? Rs // RL 交流等效电路 求输出电阻 1