集成电路设计与MPW流片介绍.pptVIP

4）5.1V待机电路 待机电源工作流程图 KA5M0380是采用电流模式的PWM控制开关电源芯片，内部封装了一个工艺要求比较高的功率开关管。该芯片被广泛用于在数码产品的电源系统。 变压器T1 AC 220V 整流滤波 5.1V-STBY PWM KA5M0380R 采样反馈 5）5V~32V工作电压 PFC 整流滤波 软启动 PWM KA7552 稳压器 变 压 器 T2 5VSC 9VSC 12VSC 24V/32V 采样反馈 微处理器 5~32V电压（逻辑、音频）工作流程图 5-32V电压产生原理和VA差不多，只是变压器副线圈采用多个稳压器来实现不同电压的输出。 6）主控芯片 起控制作用，和整个电视机的总控电路通讯，安排电源板上各个电源建立的时序并进行监控。 现在分析出如下功能： RA2：监控VS； RA3：监控VA； RA4：监控5V； RA5：监控12V； RA6：监控9V； RA7：监控32V； RB2：监控供给PFC芯片的VCC； RB3：监控供给PWM芯片的VCC； RB0：交流检测 RD0：控制PFC芯片的使能端； RD1：控制VS、VA产生电路中的PWM芯片KA7553和KA7552； RB4：控制低压直流产生电路中的PWM芯片KA7552； RA1：悬空； RD2：向总控电路输出ACOK； RC1：向总控电路输出5VOK； RD3：接收总控电路的VSON； RC0：接收总控电路的RLY； Xout、Xin：外接晶振； VSS：接地； RESET：接复位电路； VDD：电源，接待机电源； RA0：控制LED1； RB1：控制LED2； 主要功率芯片与功率MOS管 功能模块 芯片与MOS管 参数与功能 PFC 电路 UC3854(TI) 75V~275V范围内功率因数校正 26N50Q（IXYS） 500V、26A、300W、0.2Ω功率MOS管 高压VA、VS 产生电路 KA7553(F) 18V1.5A开关电源控制器；占空比70％ KA7552 (F) 18V1.5A开关电源控制器；占空比46％ UC3715 (TI) 3V2A同步整流和ZVS的驱动控制 IR2113 (IR) 600V2A高压浮置栅驱动，实现ZVS 32N50Q（IXYS） 500V、32A、416W、0.16Ω功率MOS管 K2564(SHINDENGEN) 600V、8A、50W、1.5Ω功率MOS管 低压5.1V待机电源、逻辑电压产生电路 KA5M0380R (F) 800V3A PWM控制内部功率开关管 K2674(SHINDENGEN) 900V、7A、100W、0.9Ω功率MOS管 78系列稳压芯片 32V、24V、12V、9V、5V稳定电压 关键技术难点 EMI技术（电磁干扰滤波） PFC技术（功率因子校正） PWM技术（脉宽调制） ZVS与高压驱动技术（零电压转换） 电源时序控制技术 过压过流保护技术 系统工作原理进一步分析与定量计算（电路参数选取） 智能控制分析 时序定量分析 PFC定量分析与计算 ＶA、ＶS定量分析与计算 关键波形与关键点测试与模拟仿真 ２、集成电路设计 设计工具的选择??　决定设计的效率； 产品工艺选择?? 成本、工艺、封装、设计方法、划分指标等； 电路性能提高与成本的选择 实践周期越长，经验积累越多，解决问题的能力越强 设计方法 集成电路制作在只有几百微米厚的原形硅片上，每个硅片可以容纳数百甚至成千上万个管芯。集成电路中的晶体管和连线视其复杂程度可以由许多层构成，目前最复杂的工艺大约由6层位于硅片内部的扩散层或离子注入层，以及6层位于硅片表面的连线层组成。 就设计方法而言，设计集成电路的方法可以分为全定制、半定制和可编程IC设计三种方式。 全定制设计要考虑工艺条件，根据电路的复杂和难度决定器件工艺类型、布线层数、材料参数、工艺方法、极限参数、成品率等因素。 ※ 需要经验和技巧，掌握各种设计规则和方法,一般由专业微电子IC设计人员完成； ※ 常规设计可以借鉴以往的设计，部分器件需要根据电特性单独设计； ※ 布局、布线、排版组合等均需要反覆斟酌调整，按最佳尺寸、最合理布局、最短连线、最便捷引脚等设计原则设计版图。 ※ 版图设计与工艺相关，要充分了解工艺规范，根据工艺参数和工艺要求合理设计版图和工艺。 全定制设计要求 ＤＣ－ＤＣ开关电源 举例：cmos opamp ?????????????????????????????????????????????????????