第四章：化合物半导体材料半导体材料-课件.ppt

LED照明的优点 发光效率高，节省能源 耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20%，荧光灯的1/2。 绿色环保 冷光源，不易破碎，没有电磁干扰，产生废物少 寿命长 寿命可达10万小时 固体光源、体积小、重量轻、方向性好 单个单元尺寸只有3~5mm 响应速度快，并可以耐各种恶劣条件 低电压、小电流 半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一 地区＼条件·效益 条件 能源节约 降低二氧化碳排放 美国 5％白炽灯及55％日光灯被白光LED取代 每年节省350亿美元电费。 每年减少7.55亿吨二氧化碳排放量。 日本 100％白炽灯被白光LED取代 可少建1-2座核电厂。 每年节省10亿公升以上的原油消耗。 台湾 25％白炽灯及100％日光灯被白光LED取代 节省110亿度电，约合1座核电厂发电量。 美国半导体照明计划 从2000年起国家投资5亿美元 到2019年 55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯取代 每年节电达350亿美元 2019年形成每年500亿美元的半导体照明产业市场 日本21世纪照明计划 投入资金50亿日元 到2019年 30%的白炽灯被置换为半导体照明灯 高亮度白光LED的实现 基于蓝光LED，通过黄色荧光粉激发出黄光，组合成为白光 通过红、绿、蓝三种LED组合成为白光 基于紫外光LED，通过三基色粉，组合成为白光 Ge： Eg＝0.67 eV 红光 GaP：Eg＝2.25 eV 绿光 GaN：Eg＝3.4 eV 蓝光 第四章 化合物半导体材料 李斌斌 化合物半导体材料 III－V族化合物半导体材料 II－VI族化合物半导体材料 4.1 常见的III-V化合物半导体 化合物 晶体结构 带隙 ni un up GaAs 闪锌矿 1.42 1.3×106 8500 320 GaP 闪锌矿 2.27 150 120 GaN 纤锌矿 3.4 900 10 InAs 闪锌矿 0.35 8.1×1014 3300 450 InP 闪锌矿 1.35 6.9×107 5400 150 InN 纤锌矿 2.05 4400 AlN 纤锌矿 6.24 300 14 III-V族化合物半导体性质 （1）带隙较大－－带隙大于1.1eV （2）直接跃迁能带结构 －－光电转换效率高 （3）电子迁移率高－－高频、高速器件 带隙和温度的关系 计算：GaAs 300 K和400 K下的带隙 晶体结构 金刚石结构 闪锌矿结构 纤锌矿结构 离子键和极性 共价键－－没有极性 离子键－－有极性 两者负电性相差越到，离子键成分越大，极性越强。 极性的影响 （1）解理面－－密排面 （2）腐蚀速度－－B面易腐蚀 （3）外延层质量－－B面质量好 （4）晶片加工－－不对称性 4.1.1 GaAS 能带结构 物理性质 化学性质 电学性质 光学性质 GaAs能带结构 直接带隙结构 双能谷 轻空穴和重空穴 带隙为1.42 eV GaAs物理性质 GaAs晶体呈暗灰色，有金属光泽 分子量为144.64 原子密度4.42×1022/cm3 GaAs化学性质 GaAs室温下不溶于盐酸，可与浓硝酸反应，易溶于王水 室温下，GaAs在水蒸气和氧气中稳定 加热到6000C开始氧化，加热到8000C以上开始离解 GaAs电学性质 电子的速度 有效质量越低，电子速度越快 GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3 用GaAs制备的晶体管开关速度比硅的快3~4倍 高频器件，军事上应用 本征载流子浓度 GaAs光学性质 直接带隙结构 发光效率比其它半导体材料要高得多，可以制备发光二极管，光电器件和半导体激光器等 4.1.2 GaAs的应用 GaAs在无线通讯方面具有众多优势 GaAs是功率放大器的主流技术 1）GaAs在无线通讯方面 砷化镓晶片与硅晶片主要差别，在于它是一种“高频”传输使用的晶片，由于其频率高，传输距离远，传输品质好，可携带信息量大，传输速度快，耗电量低，适合传输影音内容，符合现代远程通讯要求。 一般讯息在传输时，因为距离增加而使所能接收到的讯号越来越弱，产生“声音不清楚”甚至“收不到信号”的情形，这就是功率损耗。砷化镓晶片的最大优点，在于传输时的功率损耗比硅晶片小很多，成功克服讯号传送不佳的障碍。 砷化镓具有抗辐射性，不易产生信号错误，特别适用于避免卫星通讯时暴露在太空中所产生的辐射问题。 砷化镓与硅元件特性比较 砷化镓 硅 最大频率范围 2～300GHz 1GHz 最大操作温度 200oC 120oC 电子迁移速率 高 低 抗辐射性 高