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上海电子工程设计研究院 地址：西安沣惠南路34号海升国际8号18楼 联系电话： 上海电子工程设计研究院 四、HIT技术 三、背面钝化技术 二、选择性发射极（SE） 一、准单晶技术 概 述 五、EWT技术 六、激光转印技术(LTP) 七、反应离子刻蚀（RIE） 第一页，共二十一页。 准单晶技术 准单晶技术简介 在光伏行业迅速发展的今天，用于制造太阳能电池的晶体硅主要是采用直拉法的单晶硅及采用铸锭技术的多晶硅。多晶硅铸锭，投料量大、操作简单、工艺成本低，但电池转换效率低、寿命短；直拉单晶硅转换效率高，但单次投料少，操作复杂，成本高。因此，怎样将两者合二为一、扬长避短，就成了国内外光伏企业竞相研究的热点和难点。在这种背景下，介于多晶硅和单晶硅之间的准单晶逐渐进入了人们的视野。 准单晶主要有两种铸锭技术：?（1）无籽晶铸锭。无籽晶引导铸锭工艺对晶核初期成长控制过程要求很高。一种方法是使用底部开槽的坩埚。这种方式的要点是精密控制定向凝固时的温度梯度和晶体生长速度来提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷却速度决定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因为需要控制的参数太多，无籽晶铸锭工艺显得尤为困难。?（2）有籽晶铸锭。当下量产的准单晶技术大部分为有籽晶铸锭。这种技术先把籽晶、硅料掺杂元素放置在坩埚中，籽晶一般位于坩埚底部，再加热融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降温，调节固液相的温度梯度，确保单晶从籽晶位置开始生长。 第二页，共二十一页。 准单晶技术 2. 国内准单晶技术发展现状 2011年3月28日，晶龙集团宣布其旗下的东海晶澳太阳能科技有限公司生产的“准单晶铸锭量产一号锭”顺利下线，投资1.5亿元的试量产一期项目已经有12台准单晶铸锭炉投产，预计将实现年产65MW准单晶硅锭，年销售收入3亿元。同时，投资4亿元的二期200MW准单晶硅铸锭项目也正在实施中，2011年底达产后还将增加32台准单晶硅铸锭炉，预计将实现年销售收入10亿元。 2011年6月8日，晶澳公司在德国Intersolar展会上宣布其所研发的高效多晶电池“晶枫（Maple）”正式启动规模性量产。量产后的转换效率平均可达17.5%，最高可达到18.2%。 近期中国最大的硅片企业保利协鑫也已经试用准单晶技术成功，预计待其准单晶技术成熟后将大规模推广。 昱辉阳光于2011年1月14日报道：公司近日宣布已成功研发出一种名叫“Virtus Wafer”的新型多晶硅硅片，该产品能够提高太阳能电池转换效率至17.5%，较行业标准高出1%。硅片光致衰减率在0.1%左右，比单晶硅4%的衰减率低了一个数量级。 2011年7月8日，无锡尚品太阳能宣布其准单晶生产工艺试验成功，其转换效率在18%以上，利用率超过65%。 第三页，共二十一页。 准单晶技术 技术研发要点 温度梯度改进。针对热场研发以改良温度梯度，同时还要注意热场保护； 晶种制备。研究发现，准单晶晶种制备方向将朝着超大超薄的方向发展； 第三，精确熔化控制。这一环节非常难以控制，它决定准单晶是否能够稳定生 产，因此需要一个与之对应的精准熔化控制设备。 位错密度。在很多生产过程中，效率衰减总是不可避免，为此把位错密度控制到最低，是此项工艺的关键； 边角多晶控制，即合理有效控制边角多晶的比例； 铸锭良率提升。目前良率大约在40%~60%之间，还有待提高。 准单晶技术的前景 准单晶术集合了单晶硅和多晶硅的优点，将有助于降低太阳能发电成本，促进太阳能发电实现平价上网。因此，准单晶技术正引领着光伏行业的新的风向标，其前景将十分广阔。 第四页，共二十一页。 选择性发射极（SE） SE电池实现方案 印刷磷桨（云南师范） 腐蚀出扩散掩膜层（南京中电） 直接印刷掩膜层（schmid，centrotherm） 湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩 LDSE（新南威尔士） 硅墨技术（Innovalingt,OTB） 其中， schmid直接印刷掩膜层再清洗的SE实现方法技术成熟，目前在国内已经被许多公司采用，包括尚德、英利等。 第五页，共二十一页。 选择性发射极（SE）  2. 直接印刷掩膜层技术 第六页，共二十一页。 选择性发射极（SE）  喷掩膜机 清洗机 第七页，共二十一页。 背面钝化技术 背面钝化技术就是在电池片的背面沉积钝化膜，通过增加少子寿命、减少复合，来提高电池片的效率。常见的钝化膜有：氮化硅膜、氧化硅膜和氧化铝膜，其中氧化铝膜的背面钝化效果最好。氧化铝膜的制备方法有ALD、溅射和 PECVD 。其中PEC