讲义固体物理8.-n结.pdfVIP

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2022-04-24 发布于北京
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讲义固体物理8.-n结.pdf

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第8 章半导体晶体 8.8 p-n 结 p-n 结将一p 型半导体和一n 型半导体相接触，在交界面处就形成p-n 结存在浓度相等的自由空穴和电离受主杂质原子( 电中性) 多数载流子为空穴 p 型 n 型多数载流子为电子存在浓度相等的自由电子和电离施主杂质原子（电中性）每一侧都存在低浓度的少数型载流子，与多数载流子处于热平衡 1 第8 章半导体晶体 8.8 p-n 结 p 侧的自由空穴倾向于通过扩散，均匀布满整个晶体； n 侧的自由电子亦是如此 p 型 n 型扩散会破坏电中性，一旦发生由扩散引起的少量电荷转移，就在p 侧流下过量的负电离受主原子，而在n 侧的留下过量的正电离施主原子这种电荷偶极层产生一个自 n 区指向p 区的电场( 内建电场) ，它扩散，维持两种载流子类型的分离，晶体内的静电势在结区出现跃变 2 第8 章半导体晶体 8.8 p-n 结 n 区和p 区费米能级高低不同，在交界处形成一定的接触电势差，p 区相对于n 区具有负电势–V ，则p 区电 D 子静电势比n 区提高eVD ，填补了原来费米能级的差别 eV   使两侧的费米能级拉平 D n p p 型 n 型 E E c c eV p n D  E E v