4寸外延规格需求.docxVIP

4”外延片规格需求 Flat Epi wafer 4” blue aLED Epi capability （GaN on sapphire） 波长峰值460±3‰nm 主波长STD值范围 0-1.3nm TTV（≤10um） Warp（≤20um） BOW（≤20um） Wafer Surface Orientation c-plane Wafer Diameter（100mm±0.1mm） 正向电压：If=20mA 最小值3.0V 最大值3.5V 反向电流：Vr=-10V 最大值1.0uA 反向电压：Ir=10uA 最小值15V 光功率：If=20mA 最小值36mW 最大值38mW 缺陷 Particle (450um^2) Pyramid defect Edge issue Surface issue Pits/Total Flat defect count ＜0.5%（＜126） ＜0.7%（＜177） ＜0.2%（＜51） 0.01% (3) 225ea