LED芯片分类分析和总结.docxVIP

LED 芯片分类 (2009/03/11 13:10) MB 芯片定义与特点定义﹕ MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于 UEC 的专利产品特点﹕ 1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易. Thermal Conductivity GaAs: 46 W/m-K GaP: 77 W/m-K Si: 125 ～ 150 W/m-K Cupper:300~400 W/m-k SiC: 490 W/m-K 2 、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收. 3、导电的 Si 衬底取代 GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差 3~4 倍)， 更适应于高驱动电流领域。 4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热 5、尺寸可加大﹐应用于 High power 领域﹐eg : 42mil MB GB 芯片定义和特点定义﹕ GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于 UEC 的专利产品特点﹕ 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的 GaAs 衬底﹐其出光功率是传统 AS (Absorbable structure) 芯片的 2 倍以上﹐蓝宝石衬底类似 TS 芯片的 GaP 衬底. 2﹕芯片四面发光﹐具有出色的 Pattern 图 3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过 TS 芯片的水平(8.6mil) 4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于 TS 单电极芯片 TS 芯片定义和特点定义﹕ TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于 HP 的专利产品。特点﹕ 芯片工艺制作复杂﹐远高于 AS LED 信赖性卓越 透明的 GaP 衬底﹐不吸收光﹐亮度高 应用广泛 AS 芯片定义与特点定义﹕ AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED 光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的 AS 芯片﹐特指 UEC 的 AS 芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等 特点﹕ 四元芯片﹐采用 MOVPE 工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮 信赖性优良 应用广泛 发光二极管芯片材料磊晶种类 1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure ， (双异型结构) GaAlAs/GaAs 6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure ， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs