半导体材料与工艺：多晶硅锭定向凝固生长方法培训课件.pptxVIP

多晶硅锭定向凝固生长方法;实现多晶硅定向凝固生长的四种方法： 布里曼法 热交换法 电磁铸锭法 浇铸法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.2 定向凝固法; 定向凝固柱状晶生长示意图; 多晶硅锭的柱状晶结构;一般来说，纯金属通过定向凝固，可获得平面前沿，即随着凝固进行，整个平面向前推进，但随着溶质浓度的提高，由平面前沿转到柱状。 对于金属，由于各表面自由能一样，生长的柱状晶取向直，无分叉。 而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面会优先生长，特别是由于杂质的存