光伏电池行业市场分析报告.pdf

光伏电池行业市场分析报告 2、原理分析：何谓硼扩及磷扩？  扩散的目的是形成P-N结。本征硅中载流子数目极少，其导电性能很差。因此，实际应用的半导体是在纯 硅中加入微量的杂质元素后的材料，即掺硼的P型硅片以及掺磷的N型硅片。扩散的目的是在硅片基地上 扩散一层P型半导体或N型半导体从而在交界面形成PN结。  当阳光照在PN 结上时，PN结吸收光能激发出电子和空穴，在内建电场的受约力下推动带有负电的电子向 N区流动，带有正电的空穴向P 区移动，从而使得P 区电势升高，而N 区电势降低，P 区和N 区之间则 会产生一个可测的电压，即光生伏特效应。如果此时在P区和N 区分别焊接上导线，接通负载后外电路便 有电流通过，从而形成一个电子元件。 图表2：P型硅片（本征硅掺硼） 图表3：光生伏特效应的基本原理 来源：光伏混子说、市场研究部 来源：《单晶硅太阳能电池扩散工艺、背面刻蚀及铝背场工艺研究》、市场研究部 3 3、TOPCon扩硼工艺的难点  扩硼要难于扩磷。尽管硼扩与磷扩工艺相似度极高，且设备均以扩散炉为主，但由于硼在硅 中的固溶度较低，导致硼扩相较常规的磷扩较难，实际硼扩散的温度需要达到900-1100℃。  目前硼扩常见的硼源主要为三溴化硼（ BBr ）以及三氯化硼（BCl ）。其中，三溴化硼扩散 3 3 的副产物对石英器件损伤严重，部分厂商开始使用三氯化硼作为硼源，虽然三氯化硼的副产 物对石英器件基本无损伤，但受制于B-CL键能较大，扩散均匀性又略差于三溴化硼。 图表4：硼与磷的固溶度对比 图表5：硼扩技术路线对比 来源：拉普拉斯、市场研究部 来源：拉普拉斯、市场研究部 4 4、原理分析：何谓选择发射极（SE ）？  选择发射极指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，减少前金属电极与硅片的接触电阻； 而在电极以外的区域进行低浓度掺杂，可以降低扩散层的复合。通过对发射极的优化，增加太阳能电池的 输出电流和电压，从而增加光电转化效率。  激光掺杂是制作PERC的SE工艺主流方式。其实现方式是以磷扩后形成的磷硅玻璃（PSG）为掺杂源，在 金属栅线区域进行激光扫描掺杂，形成N++的重掺杂区域，从而实现选择发射极。这种工艺方式实现简单， 仅需在传统PERC工艺上增加一道工艺即可实现，能够与传统产线兼容，已成为PERC产线标配。 图表6：SE 电池和传统电池结构对比 图表7：SE工艺处于扩散及刻蚀工艺之间 来源：《太阳能学报》、市场研究部 来源：拉普拉斯、市场研究部 5 5、TOPCon的SE工艺难点  TOPCon的SE工艺难点主要是硼掺杂工艺难度更为复杂。根据前文所述，硼在硅的固溶度低于磷，掺杂难 度更高，在推进时需求更高的能量。因此当使用激光掺杂时（即与PERC的SE方式类似），需要采用功率 更高的激光器。  但激光掺杂的 “火候”较难掌握。如果激光功率过高，则容易在激光照射区域带来绒面损伤，从而影响后 续的钝化工艺；而如果功率过低，则推进时的能量可能不足，激光难以将BSG （硼硅玻璃，与P型电池的磷 硅玻璃对应，此处为激光的掺杂源）的硼掺杂进入P+层，会导致金属化重掺区域无法达到浓度要求。 图表8：TOPCon硼扩SE过程中容易产生的两种钝化层烧穿 6 来源：拉普拉斯、市场研究部 6、TOPCon的SE工艺实现路径  现有技术中，制备TOPCon硼扩SE结构电池的方法很多，其核心思路均为如何在减少损伤的情况下实现高 浓度的重掺硼区域。我们基于国家知识产权局相关专利的分析，将相关工艺方式总结为： ①离子注入法（无激光）； ②一次硼扩+激光掺杂； ③二次硼扩+激光掺杂； ④激光开膜+二次硼扩