第3章微电子概论IC制造工艺.pptVIP

曝光系统（下图）： 点光源产生的光经凹面镜反射得发散光束，再经透镜变成平行光束，经45°折射后投射到工作台上。 图 3.8 接触式曝光方式的图象偏差问题 图3．9 原因：光束不平行，接触不密有间隙 举例： ? =3°， y+2d=10?m， 则有 (y+2d)tg?=0.5?m 掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 掩膜本身不平坦； 晶圆表面有轻微凸凹； 掩膜和晶圆之间有灰尘。 接触式曝光方式的掩膜磨损问题 掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。 2．非接触式光刻 （1）接近式： 接近式光刻系统中，掩膜和晶圆之间有20?50?m的间隙。这样，磨损问题就可以解决了。但分辨率下降，当?3?m时，无法工作。这是因为，根据惠更斯原理，如图所示，小孔成像，出现绕射，图形发生畸变。 图 3.10 缩小投影曝光系统 （2）投影式工作原理: 水银灯光源通过聚光镜投射在掩膜上。 掩膜比晶圆小，但比芯片大得多。在这个掩膜中，含有一个芯片或几个芯片的图案，称之为母版，即 reticle。 光束通过掩膜后，进入一个缩小的透镜组，把 reticle 上的图案，缩小5~10倍，在晶圆上成像。 图 3.11 缩小投影曝光系统的特点 一次曝光只有一个Reticle 上的内容，也就是只有一个或几个芯片，生产量不高。 由于一次曝光只有一个或几个芯片，要使全部晶圆面积曝光，就得步进。 步进包括XY工作台的分别以芯片长度和宽度为步长的移动和Reticle内容的重复曝光。 投影方式分辨率高，且基片与掩膜间距较大，不存在掩膜磨损问题。 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK （工艺设计文件，Process Design Kits），挖掘工艺潜力。 3.1 外延生长 3.2 掩膜版制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 图3.12 场氧 除了作为栅的绝缘材料外，二氧化硅在很多制造 工序中可以作为保护层。在器件之间的区域，也可以 生成一层称为“场氧”（FOX）的厚SiO2层，使后面的工 序可以在其上制作互连线。 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK （工艺设计文件，Process Design Kits），挖掘工艺潜力。 3.1 外延生长 3.2 掩膜版制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 3.5 淀积与刻蚀（Etching） 虽然掺杂的区域和PN结形成电路中的有源元件，但是需要各种其它的半导体、绝缘介质和导电层完成器件/电路的电器性能。 常规的淀积层有：掺杂的硅层（外延层）、金属间的绝缘介质层（IMD）、金属间的导电连线、金属导体层和最后的钝化层。 刻蚀的作用与被刻蚀的材料 刻蚀的作用： 制作不同的器件结构，如线条、接触孔、栅等。 被刻蚀的材料： ： 半导体，绝缘体，金属等。 刻蚀的两种方法： 湿法和干法。 湿法刻蚀 首先要用适当（包含有可以分解表面薄层的反应物）的溶液浸润刻蚀面，然后清除被分解的材料。如SiO2在室温下可被HF酸刻蚀。 湿法刻蚀在VLSI制造中的问题： 接触孔的面积变得越来越小，抗蚀材料层中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效的浸润。 被分解的材料不能被有效的从反应区的小窗口内清除。 干法刻蚀 ——分为：等离子体刻蚀、反应离子刻蚀（RIE）等 RIE发生在反应炉中，基片（晶圆）被放在一个已用氮气清洗过的托盘上，然后把托盘送进刻蚀室中，在那里托盘被接在下方的电极上。刻蚀气体通过左方的喷口进入刻蚀室。RIE的基板是带负电的。正离子受带负电的基板吸引，最终以近乎垂直的方向射入晶体，从而使刻蚀具有良好的方向性。 图3.12 反应离子刻蚀（RIE） 第3章 IC制造工艺 合肥工业大学计算机学院电子系 第3章 IC制造工艺 关心每一步