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课题一 电子基础学问; 2．本征半导体：不加杂质的纯洁半导体晶体。如本征硅或本征锗。; （2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价）所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。;图1 ＰＮ结;②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增加了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。;二 晶体二极管; 1 外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图2（a）所示；;3．晶体二极管的单向导电性：; [例1] 图3所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？;4 二极管的伏安特性;5．特点：;（2）反向特性;（1）最大整流电流IFM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）最高反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压。 （3）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （4）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。;8 二极管的简洁测试;图5 万用表检测二极管;9 二极管的分类;三、 晶体三极管;（2）. 三极管的结构;箭头：表示放射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V ;　 三极管工作在放大状态的外部条件是：放射结加正向电压，集电结加反向电压。;4、晶体三极管的输出特性曲线; 在放大状态，当IB确定时，IC不随VCE变更，即放大状态的三极管具有恒流特性。 ;5、三极管的主要参数; 判别硅管和锗管的测试电路 ; 将万用表设置在 或 挡，用黑表笔和任一管脚相接（假设它是基极b），红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子。如图11（a）所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图11（b）所示。; 首先确定三极管的基极和管型，然后接受估测β值的方法推断c 、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极（另一个假定为放射极）接入电路，登记欧姆表的摇摆幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并登记欧姆表的摇摆幅度。摇摆幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c，红表笔所连接的管脚为放射极e，如图12所示。测PNP管时，只要把图12电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。;四、单管基本放大电路; 共发射极基本放大电路; (1) ui干脆加在三极管V的基极和放射极 之间，引起基极电流iB作相应的变更 。 (2)通过V的电流放大作用，V的集电极 电流iC也将变 (3)iC的变更引起V的集电极和放射极之间的 电压uCE变更。 (4)uCE中的沟通重量uce经过C2畅通地传送给负载RL，成为输出沟通电压uo,，实现了电压放大作用。 ;静态是指无沟通信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态，静态时三极管各极电流和电压值称为静态工作点Q（主要指IBQ、ICQ和UCEQ）。静态分析主要是确定放大电路中的静态值IBQ、ICQ和UCEQ。;共发射极基本放大电路;沟通通路：（ui单独作用下的电路）。由于电容C1、C2足够大，容抗近似为零（相当于短路），直流电源UCC去掉（短接）。;从图解分析过程，可得出如下几个重要结论： （1）放大器中的各个量uBE，iB，iC和uCE都由直流重量和沟通重量两局部组成。 （2）由于C2的隔直作用，uCE中的直流重量UCEQ被隔开，放大器的输出电压uo等于uCE中的沟通重量uce，且与输入电压ui反相。（放大器具有倒相作用） （3）放大器的电压放大倍数可由uo与ui的幅值之比或有效值之比求出。负载电阻RL越小，沟通负载电阻RL也越小，沟通负载线就越陡，使Uom减小，电压放大倍数下降。 （4）静态工作点Q设置得不合适，会对放大电路的性能造成影响。若Q点偏高，当ib按正弦规律变更时，Q进入饱和区，造成ic和uce的波形与ib（或ui）的波形不一样，输出电压uo（即uce）的负半周出现平顶畸变，称为饱和失真；若Q点偏低，则Q进入截止区，输出电压uo的正半周出现平顶畸变，称为截止失真。饱和失真和截止失真统称为非线性失真。;整流：把沟通电变成直流电的过程。; V：整流二极管，把沟通电变成脉动直流电； T：电源变压器，把v1变成整流电路所需的电压值v2。 ;（2）．负载和整流二极管上的电压和电流; V1、V2为性能相同的整流二极管；T为电源变压器，作用是产生大小相等而相