多级结构的存储器系统.pptVIP

第 4 章 多级结构的存储器系统;一、层次存储器系统概述;程序运行的局部性原理;解决方案　;1993年大型计算机的存储器系统;1993年大型计算机的存储器系统;静态和动态存储器芯片特性;4. 层次之间应满足的原则;READY;静态存储器字、位扩展;静态存储器字、位扩展;主存储器的读写过程;++;+ +;+ +;+ +;VDD;++; 由于读出单元的信号很小，故要使用特别灵敏的放大电路， 通常用一个触发器线路完成，即在执行读操作之前，用特定办 法控制该触发器的 1 和 0 输出端同电位，读操作时在去掉该控 制的同时，用读出的信号使触发器朝确定方向翻转，一方面指 明读出的是1 还是 0，另一方面又自动完成读出内容的回写。 但还有两个问题必须解决： ① 读出为 0 值时，没有信号给出，也就不能控制触发器翻转； ② 读出线上的寄生电容负载，会影响触发器正常的翻转能力。 解决的办法是： ③ 把存储器阵列的每列分成左右相同的两组，各置于触发器的 两端，以消除寄生电容负载对触发器翻转造成的不平衡影响 ④ 在读出放大电路两侧各设一个电容值等于 CS/2 的参考单元， 写入的内容恒为 1，保证读出不管为 0 还是为 1，总会得到个 ?U/2 的信号，确保触发器朝确定方向翻转，能区分 0 和 1。 更详细的内容请大家阅读教材相关章节和其它参考资料。;破坏性读出：读操作后，被读单元的内容一定被清为零，必须把刚读出的内容立即写回去，通常称其为预充电延迟，它影响存储器的工作频率，在结束预充电前不能开始下一次读。 要定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断路状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，通常称其为刷新操作。刷新不是按字处理，而是每次刷新一行，即为连接在同一行上所有存储单元的电容补充一次能量。刷新有两种常用方式： 集中刷新，停止内存读写操作，逐行将所有各行刷新一遍； 分散刷新，每一次内存读写后，刷新一行，各行轮流进行。或在规定的期间内，如2ms，能轮流把所有各行刷新一遍。 快速分页组织的存储器：行、列地址要分两次??出，但连续地读写用到相同的行地址时，也可以在前一次将行地址锁存，之后仅送列地址，以节省送地址的时间，支持这种运行方式的被称为快速分页组织的存储器。;主存储器的多体结构;地址寄存器;地址寄存器;三、高速缓存 CACHE; MEMORY ;全相联方式;直接映射方式;两路组相联方式;影响 CACHE 命中率的因素;CACHE 接入系统的体系结构;CACHE 接入系统的体系结构;改写主存储器的策略;四、虚拟存储器;段式存储管理;段表内容及其管理;页式存储管理;页表内容和页式管理;五、外存设备;（1）磁记录原理;（2）磁记录方式;常用磁记录方式波形图;（3）硬磁盘设备;2. 磁带机设备;3. 写一次型光盘光学系统示意图;有 N个磁盘的容量 有 1/N 的访问时间 有更高的性能价格比;有关概念及术语;作业和思考题;作业和思考题