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超越摩尔，一文看懂SiP封装技术根据TRS的定义：SiP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选 无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起, 实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。 ?圆片减薄圆片减薄是指从圆片反面采用机械或化学机械（CMP ）方式进行研磨, 将圆片减薄到适合封装的程度。由于圆片的尺寸越来越大，为了增加 圆片的机械强度，防止在加工过程中发生变形、开裂，其厚度也一直 在增加。但是随着系统朝轻薄短小的方向开展，芯片封装后模块的厚 度变得越来越薄，因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接 受的程度，以满足芯片装配的要求。 .圆片切割圆片减薄后，可以进行划片。较老式的划片机是手动操作的，现在一 般的划片机都已实现全自动化。无论是局部划线还是完全分割硅片， 目前均采用锯刀，因为它划出的边缘整齐,很少有碎屑和裂口产生。 ?芯片粘结已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘上。焊盘的尺寸要和芯片 大小相匹配，假设焊盘尺寸太大，那么会导致引线跨度太大，在转移成型 过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移现象。贴装 的方式可以是用软焊料（指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金）、 Au-Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中最常用的方法是使 用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。 ?引线键合 在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般为 0.025mm~0.032mmo引线的长度常在1.5mm~3mm之间，而弧圈 的高度可比芯片所在平面高0.75mm。 键合技术有热压焊、热超声焊等。这些技术优点是容易形成球形（即 焊球技术），并防止金线氧化。为了降低本钱,也在研究用其他金属 丝，如铝、铜、银、铝等来替代金丝键合。热压焊的条件是两种金属 外表紧紧接触，控制时间、温度、压力，使得两种金属发生连接。表 面粗糙（不平整）、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果，降低键合强度。热压焊的温度在300。5400。（：，时间一 般为40ms （通常，加上寻找键合位置等程序，键合速度是每秒二线）。 超声焊的优点是可防止高温,因为它用20kHz~60kHz的超声振动提 供焊接所需的能量，所以焊接温度可以降低一些。将热和超声能量同 时用于键合，就是所谓的热超声焊。与热压焊相比，热超声焊最大的 优点是将键合温度从35CTC降到25CTC左右（也有人认为可以用100℃ ~15（TC的条件）,这可以大大降低在铝焊盘上形成Au-AI金属间化 合物的可能性，延长器件寿命，同时降低了电路参数的漂移。在引线 键合方面的改进主要是因为需要越来越薄的封装，有些超薄封装的厚 度仅有0.4mm左右。所以引线环（loop ）从一般的200 p m-300 p m减小到100pm~125|jm ,这样引线张力就很大，绷得很紧。另外， 在基片上的引线焊盘外围通常有两条环状电源/地线，键合时要防止 金线与其短路，其最小间隙必须＞625 p m ,要求键合引线必须具有高 的线性度和良好的弧形。 .等离子清洗 清洗的重要作用之一是提高膜的附着力，如在Si衬底上沉积Au膜， 经Ar等离子体处理掉外表的碳氢化合物和其他污染物，明显改善了 Au的附着力。等离子体处理后的基体外表，会留下一层含氟化物的灰 色物质，可用溶液去掉。同时清洗也有利于改善外表黏着性和润湿性。 .液态密封剂灌封 将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预 成型块在预热炉中加热（预热温度在9（TC?95工之间），然后放进转 移成型机的转移罐中。在转移成型活塞的压力之下，塑封料被挤压到 浇道中，并经过浇口注入模腔（在整个过程中，模具温度保持在17CTC ~175乙左右）。塑封料在模具中快速固化，经过一段时间的保压，使 得模块到达一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，成型过程就完成了。 对于大多数塑封料来说，在模具中保压几分钟后，模块的硬度足可以 到达允许顶出的程度，但是聚合物的固化（聚合）并未全部完成。由 于材料的聚合度（固化程度）强烈影响材料的玻璃化转变温度及热应 力，所以促使材料全部固化以到达一个稳定的状态，对于提高器件可 靠性是十分重要的，后固化就是为了提高塑封料的聚合度而必需的工艺步骤，一般后固化条件为170℃~175℃ , 2h~4ho 图表11:包封环节的工艺流榴放AL1 放AL1 放AL1 放AL1 来源：加河，大风证券研究所 ?液态密封剂灌封目前业内采用的植球方法有两种：〃锡膏〃 + 〃锡球和〃助焊膏〃 + 锡球。锡膏+ 〃锡球”植球方法是业界公认的最好标准的植球 法，用这种方法植出的球焊接性好、光泽好，熔锡过程不会出现焊球 偏置现象，较易控制，具体做法就是先把锡膏印刷到BGA的焊盘上, 再用植球机或丝网印刷在上面加上一定大小的锡球，这