存储器层次结构.pptVIP

第一讲 基本概念和主存储器 回顾：存储器基本术语 记忆单元 （存储基元 / 存储元 / 位元） （Cell） 具有两种稳态的能够表示二进制数码0和1的物理器件 存储单元 / 编址单位（Addressing Unit） 主存中具有相同地址的那些位构成一个存储单元，也称为一个编址单位 存储体/ 存储矩阵 / 存储阵列（Bank） 所有存储单元构成一个存储阵列 编址方式（Addressing Mode） 对存储体中各存储单元进行编号的方式 按字节编址（基本上现代计算机都按字节编址） 按字编址（早期有机器按字编址） 存储器地址寄存器（Memory Address Register - MAR） 用于存放主存单元地址的寄存器 存储器数据寄存器（ Memory Data Register-MDR(MBR) ） 用于存放主存单元中的数据的寄存器 回顾：存储器基本术语 机器字长 运算器中参加运算的寄存器的位数，即：数据通路的宽度。 存储字 存储芯片中的一个读写单位，一般等于芯片的数据线宽度。 （注：最好存储器按机器字长组织成一个“自然”单位。它的长度一般应等于一个数或指令的位数。但很多机器的数据和指令都是变长的。） 编址单位 一个存储单元的位数。现在都按字节编址，即编址单位为8位。 传输单位 对主存而言，指一次从主存读出或写入的数的位数，它可以不等于存储字的长度，也可不等于编址单位。 对外存而言，数据通常按块传输，传输单位为块。 （例如：386/486等，其编址单位为字节，字长为32位，单字位数为16位，但传输单位可以是8/16/24/32位。） 回顾：存储器分类 （1）按工作性质/存取方式分类 随机存取存储器Random Access Memory (RAM) 每个单元的读写时间一样，且与各单元所在位置无关。如：内存。 （注：原意主要强调地址译码时间相同。现在的DRAM芯片采用行缓冲，因而可能因为位置不同而使访问时间有所差别。） 顺序存取存储器Sequential Access Memory (SAM) 数据按顺序从存储载体的始端读出或写入，因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如：磁带。 直接存取存储器Direct Access Memory(DAM) 利用一个共享读写机制，直接定位到要读写的数据块，在读写某个数据块时按顺序进行。例如：磁盘。 相联存储器Associate Memory or Content Addressed Memory (CAM) 按内容检索到存储位置进行读写。例如：快表。 回顾：存储器分类 半导体存储器：双极型，静态MOS型，动态MOS型 磁表面存储器：磁盘（Disk）、磁带 （Tape） 光存储器：CD，CD-ROM，DVD 回顾：存储器分类 （5）按功能/容量/速度/所在位置分类 寄存器(Register) 封装在CPU内，用于存放当前正在执行的指令和使用的数据 用触发器实现，速度快，容量小（几十个） 高速缓存(Cache) 位于CPU内部或附近，用来存放当前要执行的局部程序段和数据 用SRAM实现，速度可与CPU匹配，容量小（几MB） 内存储器MM（主存储器Main (Primary) Memory） 位于CPU之外，用来存放已被启动的程序及所用的数据 用DRAM实现，速度较快，容量较大（几GB） 外存储器AM (辅助存储器Auxiliary / Secondary Storage) 位于主机之外，用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件 用磁表面或光存储器实现，容量大而速度慢 回顾：内存与外存的关系及比较 内存储器（简称内存或主存） 存取速度快 成本高、容量相对较小 直接与CPU连接，CPU(指令)可以对内存中的指令及数据进行读、写操作 属于易失性存储器(volatile)，用于临时存放正在运行的程序和数据 主存是CPU可直接访问的存储器，用于存放供CPU处理的指令和数据 性能指标： 以字节为单位进行连续编址，每个存储单元为1个字节（8个二进位） 存储容量：主存储器中所包含的存储单元的总数（单位：MB或GB） 存取时间TA：从CPU送出内存单元的地址码开始，到主存读出数据并送到CPU（或者是把CPU数据写入主存）所需要的时间（单位：ns，1 ns = 10-9 s） 存储周期TMC：连读两次访问存储器所需的最小时间间隔，它应等于存取时间加上下一存取开始前所要求的附加时间，因此，TMC比TA大（ 因为存储器由于读出放大器、驱动电路等都有一段稳定恢复时间，所以读出后不能立即进行下一次访问。 ） 时间、存储容量（或带宽）的单位 回顾：内存储器的分类及应用 内存由半导体存储器芯片组成，芯片有多种类型： 回顾：六管静态MOS管电路 回顾：记忆单元的基本原理 动态单管MOS记忆单元电路 回顾：半导体RA