电子线性电路第3章场效应管.pptVIP

一、直流大信号简化电路模型(与三极管相对照) 场效应管 G、S 之间开路 ，IG ? 0。 三极管发射结由于正偏而导通，等效为 VBE(on) 。 FET 输出端等效为压控电流源，满足平方律方程： 三极管输出端等效为流控电流源，满足 IC = ? IB 。 S G D ID VGS S D G ID IG?0 ID(VGS ) + - VBE(on) E C B IC IB IB ? + - 场效应管等效电路 第三十页，共五十九页。 二、小信号模型 1．饱和区小信号模型 第三十一页，共五十九页。 受控电流源 第三十二页，共五十九页。 用戴维宁定理将电流源转换为电压源： 第三十三页，共五十九页。 考虑衬底效应： gmb为衬底跨导，也称背栅跨导 η为常数，一般为0.1~0.2 第三十四页，共五十九页。 高频小信号模型： LOV是根据经验值推导得到的栅极与源极或漏极交叠长度。 为栅极与衬底之间电容。 分别是漏区与衬底和源区与衬底之间PN结的势垒电容。 当源极和衬底相连时，MOS管高频小信号模型可以简化为： 源极和衬底相连 MOS管截止频率： 第三十五页，共五十九页。 2．非饱和区小信号模型 工作于非饱和区的MOS场效应管的低频小信号模型等效为一个电阻 高频小信号模型: 第三十六页，共五十九页。 Ｎ沟道：衬底接最低电位， iD为电子电流，