表面分析技术.pptxVIP

第九章 表面分析技术 定义：是指通过一个探束(光子或原子、电子、离子等)或探针(机械加电场)去探测样品表面，并检测从样品表面发射及散射的各种物理信号，从而对样品表面进行分析和测量的技术。 结果信息： 1）表面的化学过程信息：如腐蚀、吸附、氧化、钝化等； 2）表面微观形貌特征信息； 3）表面成分信息，包括元素种类、含量及其分布规律等； 4）表面电子结构、化学价态、功能团的种类与分布等信息。 要求： 1）高的真空度（扫描隧道电镜除外）； 2）高的灵敏度； 常用仪器： 1）AES；2）XPS；3）LEED；4）STEM、AFM。;9．1 俄歇电子能谱分析（Auger Electron Spectrum, AES） ;需指出以下几点： 1）圆筒镜分析器中还带有一个离子枪，其功用主要有两个：（1）清洗样品表面，保证分析时样品表面干净无污染；（2）刻蚀（剥层）样品表面，以测定样品成分沿深度方向的分布规律。 2）激发俄歇电子的电子枪也可置于圆筒镜分析器外，这样安装维护方便，但会降低仪器结构的紧凑性。 3）样品台能同时安装6～12个样品，可依次选择不同样品进行分析，以减少更换样品的时间和保持样品室中的高真空度。 ;从图中可以看出： 当Z=3～14时， 俄歇峰由KLL跃迁形成； 当Z=15～41时， 俄歇峰由LMM跃迁产生； 当Z41时， 俄歇峰由MNN及NOO跃迁产生。;9．1．3 定性分析 即为根据谱峰所对应的特征能量由手册查找对应的元素。 方法如下： 1）选取实测谱中一个或数个最强峰，分别确定其对应的特征能量，根据俄歇电子能量图或已有的条件，初步判定最强峰可能对应的几种元素； 2）由手册查出这些可能元素的标准谱与实测谱进行核对分析，确定最强峰所对应的元素，并标出同属于此元素的其他所有峰； 3）重复上述步骤，标定剩余各峰。 定性分析时的注意点： 1）可能存在化学位移，故允许实测峰与标准峰有数电子伏特的位移误差 2）核对的关键在于峰位，而非峰高。含量少时，峰高较低，甚至不显现 3）同一元素的俄歇峰可能有几个，不同元素的俄歇峰可能会重叠，甚至变形，微量元素的俄歇峰可能会湮没，而俄歇强峰并没有明显的变异 4）当图谱中有无法对应的俄歇电子峰时，这可能是一次电子的能量损失峰 定性分析可由计算机软件完成，但某些重叠峰和弱峰还需人工进一步确定 ;9．1．4 定量分析 由于影响因素多，分析复杂，故定量分析的精度还较低，还只是半定量水平。 常规情况下，相对精度仅为30％左右。 定量分析常有两种方法：标准样品法和相对灵敏度因子法。;2．相对灵敏度因子法 它是指将各种不同元素（Ag除外）所产生的俄歇电子信号均换算成同一种 元素纯Ag的当量（又称相当强度），利用该当量来进行定量计算的。 具体方法如下：相同条件下分别测出各种纯元素X和纯Ag的俄歇电子主峰的 信号强度IX和IAg，其比值IX/IAg即为该元素的相对灵敏度因子Sx，并制成手册。 当样品中含有多种元素时，设第i个元素的主峰强度为Ii，其对应的灵敏度因子 为Si，所求元素为X，其灵敏度因子为Sx，则所求元素的原子分数为;9．1．5 化学价态分析 俄歇电子的产生通常有三种形式：KLL、LMM、MNN，它涉及到三个能级，只要有电荷从一个原子转移到另一个原子，元素的化学价态变化时，就会引起元素的终态能量发生变化，同时俄歇电子峰的位置和形状也随之改变，即引起俄歇电子峰位位移。有时化学价态变化后的俄歇峰与原来零阶态的峰位相比有几个电子伏特的位移，故可通过元素的俄歇峰形和峰位的比较获得其化学价态变化的信息。 ;物相鉴定;3．定量分析 电子束的能量为3keV，具体测量计算步骤如下： （1）对照元素能谱图确定谱线的所属元素，定出各元素的最强峰。 （2）测量各元素最强峰的峰峰高； （3）根据入射电子束能量（3 keV或5 keV）所对应的灵敏度因子手册，查得各种元素的灵敏度因子，分别代入公式(9-3)计算各自的相对含量。;4．表面纵向成分分析;图9-8a表示膜表面未经离子剥层时的俄歇电子能谱图，谱线中除了Ni和Cr峰外还含有大量的O峰，表明膜表面被氧化；表面经过剥层10nm后，膜表面的俄歇电子能谱图见图9-8b，此时O元素峰几乎消失，而Ni、Cr峰明显增强，表明Ni、Cr的含量增加，O元素大幅减少；当进一步剥层至20nm时，见图9-8c，此时Cr、Ni峰大大减小，而Si元素峰显著增强，C含量也逐渐减少。 因此，结合剥层技术俄歇电子能谱可有效地分析表面成分沿表层深度的变化情况。 ;俄歇电子能谱存在着以下不足： 1）不能分析H和He元素，即所分析元素的原子序数Z2； 2）定量分析的精度不够高； 3）电子束的轰击损伤和因不导电所致的电荷积累，限制了它在生物材料、有机材料和某些陶瓷材料中的应用； 4）