霍尔传感器及磁敏二极管三极管的原理及应用.docxVIP

霍尔传感器?磁敏二极管 ?磁敏三极管的原理及应用 物理与电子技术学院 电子信息工程 霍尔传感器的原理及应用 一、 传感器的概述 信息处理技术取得的进展以及微处理器和计算机技术的高速发展，都需要在 传感器的开发 方面有相应的进展。微处理器现在已经在测量和控制系统中得到 了广泛的应用。随着这些系 统能力的增强，作为信息采集系统的前端单元，传 感器的作用越来越重要。 传感器已成为自 动化系统和机器人技术中的关键部件， 作为系统中的一个结构组成，其重要性变得越来越明 显。 二、 霍尔传感器 1、 霍尔传感器的定义 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器 , 已发展成一个品种多样的磁传 感器产品族， 并已得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检 测磁场及其变化，可在各种 与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为 其工作基础。 2、 霍尔传感器的分类 按照霍尔器件的功能可将它们分为 : 霍尔线性器件和霍尔开关器件 。 者输出模拟量， 后者输出数字量。 ( 1 )线形电路：它由霍尔元件、差分放大器和射极跟随器组成。其输出电 压和加在霍尔 元件上的磁感强度 B 成比例，它的功能框图和输出特性示于图 这类电路有很高的灵敏度优 良的线性度，适用于各种磁场检测。 2 第 1 页 图 1 霍尔线性电路的功能框图 (2) 开关电路：霍尔开关电路由稳压器、霍尔片、差分放大器，斯密特触 发器和输出级组成。在外磁场的作用下，当磁感应强度超过导通阈值 BOFP 寸， 霍尔电路输出管导通，输出低电平。之后， B 再增加，仍保持导通态。若外加磁 场的 B 值降低到 BRP 时，输出管截止，输出高电平。我们称 BOP 为工作点， BRP 为释放点， BOP- BRP 二 B 称为回差。 回差的存在使开关电路的抗干扰能力增强。 霍尔开关电路 的功能框见图 2。图 2(a)表示集电极开路(OC)输出， (b)表示双输 出。它们的输出特性见图 5,图 5(a)表示普通霍尔开关， (b)表示锁定型霍尔开 关的输出特性。 (a)单 OC 输出(b)双 OC 输出 图 2 霍尔开关电路的功能框图 3、原理 霍尔效应原理： 将一块半导体或导体材料，沿 Z 方向加以磁场 B ，沿 X 方向通以工作电流 I ，则在 Y 方向产生出电动势 VH ，如图 1 所示，这现象称为霍尔效应。 V H 称为 霍尔电压。 (a) (b) 图 3 霍尔效应原理图 实验表明，在磁场不太强时，电位差 VH 与电流强度 I 和磁感应强度 B 成正 比，与板的厚度 d 成反比，即 或 V H VH 乎 R H d K IB H (1) (2) 式(1)中 RH 称为霍尔系数，式(2)中 KH 称为霍尔元件的灵敏度，单位为 mv / (mA- T)。产生霍尔 第3 页 效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子 (N 型半导体中的载流子是带负电荷的电子， P 型半导体中的载流子是带正电荷 的空穴)在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。 如图 3( a)所示，一快长为 I、宽为 b、厚为 d 的 N 型单晶薄片，置于沿 Z 轴方向的磁场 B 中，在 X 轴方向通以电流 I ，则其中的载流子一一电子所受到 的洛仑兹力为 Fm qV B eV B eVBj 式中 V 为电子的漂移运动速度，其方向沿 X 轴的负方向。 e 为电子的电荷量。 Fm 指向 Y 轴的负方向。自由电子受力偏转的结果，向 A 侧面积聚，同时在 B 侧面上出现同数量 的正电荷，在两侧面间形成一个沿 Y 轴负方向上的横向电场 EH (即霍尔电场) ，使运动电子受到一个沿 Y 轴正方向的电场力 Fe ， A 、 B 面之间 V H V Fe qEH eEH eEH j e 匸 j 的电位差为 VH (即霍尔电压) ，则 (4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有 b 得 VH VBb (5) 此时 B 端电位高于 A 端电位。 若 N 型单晶中的电子浓度为 n,则流过样片横截面的电流 I =nebdV V - ^― 得 nebd (6) 将(6)式