高频电子线路第三章概要课件.pptx

3.1 概述 3.2 晶体管高频等效电路 3.3 谐振放大器 3.4 放大器的稳定性 3.5 集中选频放大器 3.6 电子噪声 3.7 章末小结;第3章 高频小信号放大电路; ; ; ; 衡量高频小信号放大器的主要性能指标： （1）电压增益与功率增益 电压增益等于输出电压与输入电压之比；功率增益等于放大器输出给负载的功率与输入功率之比。;（2）通频带 放大器的电压增益下降到最大值的 倍时，所对应的频带宽度，也称-3dB带宽，常用 表示，也有用BW表示的。; （3）矩形系数 表征放大器选择性好坏的一个参量。理想的频带放大器应该对通频带内的频谱分量有同样的放大能力，而对通频带以外的频谱分量要完全抑制。所以理想的频带放大器的频响曲线应是矩形。但实际的频响曲线与矩形有较大的差异。 矩形系数用来表示实际响应曲线接近理想矩形的程度，用 表示。 是放大器的电压增益下降到最大值的0.1倍时所对应的频带宽度。 ;（4）工作稳定性 指放大器的直流偏置、晶体管参数、电路元件参数等发生可能变化时，放大器的主要性能的稳定程度。一般的不稳定现象是增益变化、中心频率偏移、通频带变化、谐振曲线变形等，极端情况是自激。 （5）噪声系数 表征放大器的噪声性能好坏的一个参量。希望噪声越小越好，噪声系数接近于1。; 高频小信号放大电路是线性放大电路。Y参数等效电路和混合π型等效电路是分析高频晶体管电路线性工作的重要工具, 晶体管、场效应管和电阻引起的电噪声将直接影响放大器和整个电子系统的性能。本章将讨论这两部分内容，他们是高频电路的基础。 ;3.2 晶体管高频等效电路; Ｙ参数法则是从测量和使用的角度出发, 把晶体管作为一个有源线性双口网络, 用一组网络参数构成其等效电路。优点是导出的表达式具有普遍意义, 分析和测量方便。 缺点是网络参数与频率有关。由于高频小信号谐振放大器相对频带较窄, 一般仅需考虑谐振频率附近的特性, 因而采用这种分析方法较合适。 ; 3.2.1 混合π型等效电路 图3．2．1是晶体管高频共发射极混合π??等效电路。 图中各元件名称及典型值范围如下：  ｒbb′： 基区体电阻, 约１５Ω～５０Ω。  ｒb′e： 发射结电阻re折合到基极回路的等效电阻, 约几十欧到几千欧。  ｒb′c：集电结电阻, 约１０kΩ～１０MΩ。  ｒce：集电极—发射极电阻, 几十千欧以上。 ;; Cb′e：发射结电容, 约１０ 皮法到几百皮法。 Cb′c：集电结电容, 约几个皮法。 ｇm：晶体管跨导, 几十毫西门子以下。 由于集电结电容C b′c跨接在输入输出端之间, 是双向传输元件, 使电路的分析复杂化。为了简化电路, 可以把C b′c折合到输入端b′、 e之间, 与电容C b′e并联, 其等效电容为：  CM=(1+gmRL)Cb’c (3.2.1)  即把Cb′c的作用等效到输入端, 这就是密勒效应。其中gm是晶体管跨导, R′L是考虑负载后的输出端总电阻, CM称为密勒电容。 ; 另外, 由于rce和rb’c较大, 一般可以将其开路。这样, 利用密勒效应后的简化高频混合π型等效电路如图所示。 ; ; 其中k为波尔兹曼常数, T是电阻温度(以绝对温度K计量), IEQ是发射极静态电流, β0是晶体管低频短路电流放大系数, fT是晶体管特征频率。  确定晶体管混合π型参数可以先查阅手册。 晶体管手册中一般给出r bb′、Cb′c、β0和fT等参数, 然后根据式(3.2.2)可以计算出其它参数。 注意各参数均与静态工作点有关。  ; 3.2.2Ｙ参数等效电路 图是双口网络示意图。  双口网络即具有两个端口的网络。所谓端口是指一对端钮, 流入其中一个端钮的电流总是等于流出另一个端钮的电流。 而四端网络虽然其外部结构与双口网络相同, 但对流入流出电流没有类似的规定, 这是两者的区别。  对于双口网络, 在其每一个端口都只有一个电流变量和一个电压变量, 因此共有四个端口变量。如设其中任意两个为自变量, 其余两个为应变量, 则共有六种组合方式, 也就是有六组可能的方