硅集成电路制造工艺第章绪论.pptVIP

Explosive Growth of Computing Power Pentium IV 1st transistor 1947 1st electronic computer ENIAC (1946) Vacuum Tuber 1st computer(1832) Macroelectronics Microelectronics Nanoelectronics 第三十页，共四十七页。 2003 Itanium 2? 1971 4004 ? 2001 Pentium IV ? 1989 386 ? 2300 134 000 410M 42M 1991 486 ? 1.2M transistor /chip 10 μm 1 μm 0.1 μm transistor size Human hair Red blood cell Bacteria Virus 第三十一页，共四十七页。 由欧洲电子器件制造协会（EECA）、欧洲半导体工业协会（ESIA）、日本电子和信息技术工业协会（JEITA）、韩国半导体工业协会（KSIA）、台湾半导体工业协会（TSIA）和半导体工业协会（SIA）合作完成。 器件尺寸下降，芯片尺寸增加 互连层数增加 掩膜版数量增加 工作电压下降 第三十二页，共四十七页。 器件几何尺寸：Lg，Wg，tox，xj →×1/k 衬底掺杂浓度N →×k 电压Vdd →×1/k ? 器件速度 →×k 芯片密度 →×k2 器件的等比例缩小原则 Constant-field Scaling-down Principle k≈1.4 第三十三页，共四十七页。 NEC 第三十四页，共四十七页。 电子产品发展趋势：更小，更快，更冷 现有的工艺将更成熟、完善；新技术不断出现。当前，光刻工艺线宽已达0.045微米。由于量子尺寸效应，集成电路线宽的物理极限约为0.035微米，即35纳米。 另外，硅片平整度也是影响工艺特征尺寸进一步小型化的重要因素。 微电子业的发展面临转折。上世纪九十年代纳电子技术出现，并越来越受到关注。 未来 第三十五页，共四十七页。 第一页，共四十七页。 第二页，共四十七页。 第三页，共四十七页。 第四页，共四十七页。 绪论 引言 集成电路制造工艺发展状况 集成电路工艺特点与用途 本课程内容 第五页，共四十七页。 ?早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。 ? 1874年，电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。? 1 引言 第六页，共四十七页。 基本器件的两个发展阶段 分立元件阶段（1905～1959） 真空电子管、半导体晶体管 集成电路阶段（1959～） SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI 集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。 ?????????????????????????????????????????????????????????????????? 第七页，共四十七页。 什么是集成电路制造工艺 集成电路工艺，是指用半导体材料制作集成电路产品的方法、原理、技术。 不同产品的制作工艺不同，但可将制作工艺分解为多个基本相同的小单元（工序）——单项工艺。 不同产品的制作就是将单项工艺按需要顺序排列组合来实现的——工艺集成。 第八页，共四十七页。 微电子工业生产过程图 前工序：微电子产品制造的特有工艺 后工序 第九页，共四十七页。 npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程----硅外延平面工艺举例 举例 n+ n p n+ e b c 第十页，共四十七页。 2 集成电路制造工艺发展历程 诞生:1947年12月在美国的贝尔实验室，发明了半导体点接触式晶体管，采用的关键工艺技术是合金法制作pn结。 合金法pn结示意图 加热、降温 pn结 In Ge N-Ge 第十一页，共四十七页。 合金结晶体管 第十二页，共四十七页。 W. Shockley J. Bard