集成电路的基本制造工艺.pptxVIP

集成电路的基本制造工艺;;1、 二极管 (PN结) ;2、1 集成电路加工的基本操作;形成材料薄膜的方法;光刻和刻蚀形成需要的图形;正胶和负胶的差别;亮场版和暗场版的差别;掺杂改变材料的电阻率或杂质类型;;;§1、1、1 双极集成电路中元件的隔离;;解决双极集成电路元件之间的隔离: pn结隔离工艺 pn结隔离工艺双极晶体管的三种结构: 1、 SBC结构;2、 CDI结构;3、 3D结构;;双极集成电路等效电路;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;;具体步骤如下: 1、生长二氧化硅(湿法氧化):;2、隐埋层光刻:;刻蚀(等离子体刻蚀);P-Si;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;双极集成电路元件断面图;;P-Si;SBC结构工艺的分析与设计考虑;寄生的PNP晶体管;n+埋层的设计;外延生长的设计;隔离区的设计;集电极深接触的设计;基区形成的设计考虑;发射区形成的设计考虑;SBC结构工艺在应用中的局限性;;重要知识点;;简单说,能够把mos管看作是一个电压控制的开关,当控制电压高于阈值电压,开关闭合,低于阈值电压,开关断开;MOS结构和分类;MOS器件结构;MOS:栅极和衬底;MOS:源和漏;MOS:漏、栅、源、衬的隔离;MOS器件的分类;MOS器件的分类;MOS晶体管的分类;MOS晶体管的结构特点;;在硅衬底上制作MOS晶体管;;;;;;;;;;;;;自对准工艺;;;;;重要的结构参数:;沟道长度L的计算;沟道宽度W的计算;CMOS集成电路要把NMOS和PMOS两种器件做在一个芯片上,如何实现？ 采纳做阱的方法解决了需要两种类型衬底的问题;n阱CMOS主要工艺步骤;2、制作n阱 热氧化形成初始氧化层作为阱区注入的掩蔽层。 在氧化层上开出n阱区窗口 注磷在窗口下面形成n阱 退火和阱区推进;3、场区氧化;3、场区局部氧化法 LOCOS工艺具体步骤: 生长薄层SiO2作为缓冲层 淀积氮化硅 刻掉场区的氮化硅和缓冲氧化层 场区注入 热氧化形成场氧化层;鸟嘴问题;4、制作硅栅 具体步骤: 生长SiO2缓冲层 沟道区注入 生长新的栅氧化层 CVD工艺淀积多晶硅 多晶硅掺杂 光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形;5、形成源和漏区;6、形成金属互连线 在整个硅片上淀积氧化层 通过光刻在氧化层上开出引线孔 在整个硅片上淀积金属层,如铝 光刻形成需要的金属互连线图形;;;;体硅CMOS的闩锁(Latch-up);Latch-up效应等效电路;寄生晶体管Q1、Q2和寄生电阻Rw和Rs构成正反馈回路,使电流循环放大,至到VDD电压和GND之间锁定在(Von+VCES)。;防止闩锁的措施;场区寄生MOS晶体管;;双阱标准CMOS工艺;Example: Intel 0、25 micron Process;Interconnect Impact on Chip;;BiCMOS工艺分类;以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺; ;三、后部封装 (在另外厂房) (1)背面减薄 (2)切片 (3)粘片 (4)压焊:金丝球焊 (5)切筋 (6)整形 (7)所封 (8)沾锡:保证管脚的电学接触 (9)老化 (10)成测 (11)打印、包装; ;;三、后部封装 (在另外厂房);感谢您的聆听！