20模拟复习-常用半导体器件.docxVIP

常用半导体器件 1、导电性能介于导体与绝缘体之间的称之为半导体，常用的材料有硅和锗。 2、半导体中参与导电的粒子有自由电子和空穴两种。 3、半导体因其结构特点而具有热敏性、光敏性和杂敏性，其中渗入杂质对其导电性能的影响非常大 4、温度变化对本征半导体的导电性能影响较大，当温度升高时，能参与导电的粒子数目增加 5、N型半导体：在本征半导体中渗入五价元素，使得自由电子的数目大量增加，自由电子成为主要的导电方式，称为电子半导体或N型半导体 P型半导体—— 6、PN结的形成过程—— PN结的单向导电性——PN结外加正向电压时，PN结电阻很小，正向电流很大，PN结正向导通，电流方向从P型区流向N型区；PN结外加反向电压时，PN结电阻很大，反向电流很小，近似为零，PN结反向截止。PN结的这种特性称为单向导电性。 7、当温度升高时，杂质半导体中少子的数量会（ ） A、增加； B、不变； C、减少 8、如果加到PN结上的反向电压增大至一定的数值时，反向电流会突然增加，此现象称为PN结的反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。 9、二极管的伏安特性:（1）当外加正向电压小于某值时，正向电流很小，几乎为零，此段称为死区，对应电压为死区电压。（2）当外加正向电压大于死区电压时，正向电流增长很快，二极管正向导通，对应电压为导通电压。（3）当二极管加反向电压并小于某电压（击穿电压）时，由少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流，硅管为nA级，锗管为μA级，故二极管反向截止。（4）当反向电压增加到击穿电压时，反向电流将突然增大，二极管的单向导电性被破坏，二极管反向导通，造成不可恢复的损坏。 10、二极管工作温度上升10度，其反向饱和电流增加一倍，温度升高时，二极管正向特性左移，反向特性下移 11、二极管的单向导电性——1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 12、稳压管正常工作时加反向电压，使用时要加限流电阻 13、要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 14、三极管的输出特性曲线——（1）放大区：在放大区 IC = ? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 （2）截止区：IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。此时IC = ICEO(很小)。集电结与发射结均反偏，IC? 0, UCE? UCC 。 （3）饱和区：当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，晶体管工作于饱和状态。此时集电极电流最大，元件失去放大作用，深度饱和时，管压降很小，硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V电流IC ? UCC/RC 当晶体三极管的管压降为0.3V时，三极管处于（ ）状态 A、截止； B、放大； C、饱和 15、N沟道增强型绝缘栅型场效应管的工作原理 （1）当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 （2）当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 16、由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生，用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。  基本放大电路 电子电路放大的基本特征是功率放大，即负载上总是获得比输入信号大得多的电压或电流，有时两者兼而有之 放大电路的组成原则： （1）静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。（2）动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。（3）对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。 共发射极放大电路的工作特性：(1) 无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:IB、UBE和 IC、UCE 。(2) 加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。(3) 若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。(4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°，即