数字电子技术基础第二章逻辑门电路基础.pptVIP

第三节 TTL逻辑门电路 一、标准生产工艺的TTL非门的工作原理 TTL的含义：Transistor Transistor 第三十一页，共七十一页。 （一）输入VI为高电平3.6V时 第三十二页，共七十一页。 第三十三页，共七十一页。 （二）输入VI为低电平0.3V 时 第三十四页，共七十一页。 二、标准生产工艺的TTL非门的电路结构特点 1、输入级采用三极管以提高工作速度。 2、采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速给负载电容充放电,提高开关速度和带负载能力。 第三十五页，共七十一页。 第三十六页，共七十一页。 三、TTL非门的电压传输特性曲线和从其上可以得出的电路参数 （一）电压传输特性曲线 第三十七页，共七十一页。 （二）从电压传输特性曲线上可以得出的电路参数 1．输出高电平VOH 2．标准输出高电平VSH V OH（min） 3．输出低电平VOL 4．标准输出低电平VSL V OL（max） 5．输入高电平VIH 6．输入高电平的下限 VIH（min） (开门电平VON ） 7．输入低电平VIL 8．输入低电平的上限V IL（max）（关门电平VOFF） 9．噪声容限电压 （1）输入高电平噪声容限电压（最大允许负向干扰电压） （2）输入低电平噪声容限电压（最大允许正向干扰电压） 第三十八页，共七十一页。 输入高电平噪声容限 VNH＝V OH（min）-VON ＝V OH（min）- V IH（min） ＝2.4V-2.0V＝0.4V。 输入低电平噪声容限 VNL＝V OFF-V OL（max） ＝V IL（max） -V OL（max） ＝0.8V-0.4V＝0.4V。 第三十九页，共七十一页。 四、TTL非门输入特性和从其上可以得出的参数 第四十页，共七十一页。 1．输入低电平电流IIL 第四十一页，共七十一页。 2．输入高电平电流IIH 第四十二页，共七十一页。 五、TTL非门的输入负载特性和从其上可以得出的参数 第四十三页，共七十一页。 1．关门电阻ROFF 2．开门电阻RON 第四十四页，共七十一页。 六、TTL非门的输出负载特性和从其上可以得出的参数 （一）TTL非门的低电平输出负载特性 第四十五页，共七十一页。 2．最大输出低电平电流I OL（max) 3．输出低电平时的扇出系数 第四十六页，共七十一页。 （二）TTL非门的高电平输出负载特性 第四十七页，共七十一页。 2．最大输出高电平电流I OH（max） 3．输出高电平时的扇出系数 第四十八页，共七十一页。 （三）扇出系数 一般NOL≠NOH，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用NO表示。 第四十九页，共七十一页。 七、传输延迟时间 导通延迟时间tPHL——从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。 截止延迟时间tPLH——从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。 与非门的传输延迟时间tpd是tPHL和tPLH的平均值。即 一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒～十几个纳秒。 第五十页，共七十一页。 第二章 逻辑门电路基础 第一页，共七十一页。 本章主要内容 第一节 二极管、三极管的开关特性 第二节 二极管逻辑门电路 第三节 TTL逻辑门电路 第四节 射极耦合逻辑门电路 第五节 CMOS逻辑门电路 第六节 各种逻辑的门电路之间的接口问题 第二页，共七十一页。 第一节 二极管、三极管的开关特性 一、二极管的开关特性 （一）二极管的静态开关特性 （二）二极管的动态开关特性 第三页，共七十一页。 （一）二极管的静态开关特性 二极管正偏时导通，管压降为0V，流过二极管的电流大小决定于外电路，相当于开关闭合。二极管反偏时截止，流过二极管的电流为0，相当于开关打开，二极管两端电压的大小决定于外电路。这就是二极管的静态开关特性。 第四页，共七十一页。 （二）二极管的动态开关特性 给二极管电路加入一个方波信号，电流的波形怎样呢？ 第五页，共七十一页。 tre＝ts十tt称为反向恢复时间 ts为存储时间 tt称为渡越时间 第六页，共七十一页。 1. 反向恢复过程 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经历的转换过程称为反向恢复过程。 第七页，共七十一页。 产生反向恢复过程的原因：电荷存储效应 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。 第八页，共七十一页。 2. 对输入信号 vi的要求 输入