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PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩(Reticle)上 传递 Wafe 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质 会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是 这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被 留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理， 以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo 主要流程为何? 答：Photo 的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB ，显影，Hard Bake 等。 何谓PHOTO 区之前处理? 答：在Wafe 上涂布光阻之前，需要先对Wafe 表面进行一系列的处理工作，以 使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括 Bake ， HDMS 等过程。其中通过Bake 将Wafer 表面吸收的水分去除，然后进行HDMS 工作，以使Wafer 表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle ） 被喷涂在高速旋转的 Wafer 表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在 Wafer 的表面。 何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的 溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释 放。 何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer 表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到 Wafer 上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB 是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake 的过程。其目的在于使被 曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer 进行成象的过程，通过这个过程， 成象在光阻上的图形被显现出来。 何谓Hard Bake? 答：Hard Bake 是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer 上的显影液蒸发，并且固 化显影完成之后的光阻的图形的过程。 何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？ 答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC 是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC 则是被涂布在光 阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光 阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。 何谓 Iline ？ 答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm ，其波 长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。 何谓 DU ？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm ，其波长较短，因此曝光完成后的图 形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line 与DU 主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line 主要用在较落后的 程 （0.35 微米以上）或者较先进制程 （0.35 微米以下）的Non-Critical layer 。DU 则用在先进制程的Critical layer 上。 何为Exposure Field? 答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 何谓 Stepper? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step 形式,一次曝整個exposure field,一個 一個曝過去 何谓 Scanner? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Sca ing and step 形式, 在一個exposure fie