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晶体三极管 晶体三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率交换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百W，频率至几GHz左右。 第一页，共三十七页。 一、概述 1.晶体三极管的各种形状 第二页，共三十七页。 2.晶体三极管的名称和分类 晶体三极管的名称根据JISC 7012，按下图所示决定。 第三页，共三十七页。 第四页，共三十七页。 公司晶体三极管产品的名称 3 DD 488 200 N P Y L SA1 三极管 低频大功率 芯片尺寸4.88mm ce耐压200V 类型NPN 平面工艺 背面金属为银 正面金属为铝 版本号 第五页，共三十七页。 3.晶体三极管的结构和电路符号 第六页，共三十七页。 二、晶体三极管的主要参数 1。三极管的直流参数 第七页，共三十七页。 2。三极管的交流参数 第八页，共三十七页。 第九页，共三十七页。 3。三极管的极限参数 第十页，共三十七页。 第十一页，共三十七页。 3。三极管的主要特性曲线 第十二页，共三十七页。 第十三页，共三十七页。 三、普通硅平面三极管工艺 1。平面三极管纵向结构 第十四页，共三十七页。 2.平面三极管平面结构 第十五页，共三十七页。 梳状结构 第十六页，共三十七页。 反覆盖结构 第十七页，共三十七页。 3.NPN平面三极管工艺流程 序号 工序 描述 处理条件 1 来料接收 二部投片 [SL5N1-P8] N/掺砷 ρ0.005Ω·cm 2 外延 SiHCl3 N型外延 N型,1050℃，先本征外延 1um；再生长11um，掺磷，ρ=1.3Ω·cm 3 氧化 ,器件N氧化 900℃ 60′H2/O2 + 1050℃62′H2/O2 4 激光打标 激光打标 硅片正面刻批号、片号 5 基区光刻 　 　 6 氧化 800±80? 1000℃ (62′) O2 7 硼注入 硼注入 B+，60keV 5.0E14cm-2 8 P型退火 P型退火 1200℃ 30′N2+30′H2/O2 9 发射区光刻 　 　 10 磷涂布 器件磷涂布 500RPM 2”+2000RPM 10”+BAKE 11 涂布磷预扩 涂布磷预扩 条件待定，Rs=4±1Ω/□ 12 N型退火 退火 根据HFE确定 第十八页，共三十七页。 序号 工序 描述 处理条件 13 孔光刻 　 　 14 Al蒸发 1AL蒸发 AL，2.5±0.2um 15 Al反刻 　 　 16 合金 退火 430℃ 30′N2 17 钝化 PECVD淀积 380℃ 5000A SIO2+5000A SIN 18 刻压点 　 　 19 减薄 减薄 细磨后晶片揭膜厚度：210±10um 20 背面蒸发 背面蒸发 　 21 送出 二部出货 二部出货 第十九页，共三十七页。 4. PNP平面三极管工艺流程 序号 工序 描述 处理条件 1 来料接收 二部投片 SL5P1-P17/掺硼 0.005≤ρ≤0.008Ω.cm 2 外延 SiHCl3 P型外延 P型，1050℃ 先本征外延1um,再生长13um，掺硼，ρ=2Ω·cm 3 氧化 器件P氧化 900℃ 60′H2/O2 + 1050℃62′H2/O2 4 激光打标 激光打标 硅片正面刻批号、片号 5 基区光刻 　 　 6 氧化 800±80? 1000℃ (62′) O2 7 磷注入 磷注入 P+, 120keV 3.0E14cm-2 8 N型退火 N型退火 1200℃ 40′N2+40′H2/O2 9 浓基区光刻 　 　 10 磷预淀积 Rs=10±2Ω/□ 950℃ 20′N2/O2+30′POCl3+50′N2/O2 11 氧化 E区氧化 950℃ 60′H2/O2 12 发射区光刻 　 　 13 硼涂布 硼涂布 1500RPM 20”+BAKE 14 涂布硼预扩 涂布硼预扩 条件待定，Rs=5±1Ω/□ 第二十页，共三十七页。 序号 工序 描述 处理条件 15 P型退火 退火 根据HFE确定 16 孔光刻 　 　 17 Al蒸发 1AL蒸发 AL，2.5±0.2um 18 Al反刻 　 　 19 合金 退火 430℃ 30′N2 20 钝化 PECVD淀积 380℃ 5000A SIO2+5000A SIN 21 刻压点 　 　 22 减薄 减薄 细磨后晶片揭膜厚度：210±10um 23 背面蒸发 背面蒸发 　 24 送出 二部出货 二部出货 第二十一页，共三十七页。 四、三极管的常见问题 可能原因：表面沾污、扩散异常引起的基区表面反型 主要措施：提高基区表面浓度，消除表面沾污、扩散异常 可能原因：发射区偏出基区、针孔、缺