IGBT在电焊机中的应用和RT4的推广.pptVIP

75的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125℃） 型号 FF75R12RT4 SKM100GB123D SKM75GB12T4 SKM100GB128D 结论 封装 34mm 34mm 34mm 34mm 散热器安装尺寸完全兼容。 Ic(Tc=100℃) 75A 81A 75A 85A 128D的电流能力最大。 Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,) 2.15V 3.1V 2.25V 2.1V RT4和128D的性能较好,导通损耗小。 Tj(度） 175℃ 150℃ 175℃ 150℃ T4芯片结温高。 Rgon/off 2.2Ω 15Ω 1Ω 4.7Ω 驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！ Eon 9.5mJ 10mJ 11mJ 9mJ RT4的开关损耗较小。 Eoff 6.5mj 8mJ 6.9mJ 7.5mJ Rjc(IGBT) 0.38K/W 0.18K/W 0.38K/W 0.21K/W 123D的热阻小！ Rjc(Diode) 0.58K/W 0.5K/W 0.58K/W 0.5K/W Vf(V) 1.65V 1.8V 2.11V 1.8V RT4反并联二极管通态性能更好。 RT4模块-与SEMIKRON的比较 结论：RT4与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交大。与128D和西门康最新的T4系列性能相差不大。 RT4模块-与SEMIKRON 模块的比较 100的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125℃） 型号 FF100R12RT4 SKM150GB123D SKM100GB12T4 SKM150GB128D 结论 封装 34mm 62mm 62mm 62mm RT4尺寸较小。 Ic(Tc=100℃) 100A 100A 100A 108A 电流能力相差不大。 Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,) 2.05V 2.5V 2.2V 2.1V RT4性能更好,导通损耗小。 Tj(度） 175℃ 150℃ 175℃ 150℃ T4芯片结温高 Rgon/off 1.6Ω 6.8Ω 8.2Ω 8Ω 驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！ Eon 9.5mJ 13mJ 16.1mJ 10mJ 123D的开关损耗较大！ Eoff 9mJ 11mJ 8.6mJ 9mJ Rjc(IGBT) 0.27K/W 0.15K/W 0.29K/W 0.15K/W 123D的热阻小！ Rjc(Diode) 0.48K/W 0.3K/W 0.49K/W 0.3K/W Vf(V) 1.65V 1.8V 2.18V 1.8V RT4反并联二极管通态性能更好。 结论：RT4与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交大。与128D相比，热阻较大。和西门康最新的T4系列相比，开关损耗较小。 RT4模块-与SEMIKRON 模块的比较 150的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125℃） 型号 FF150R12RT4 SKM200GB123D SKM150GB12T4 SKM200GB128D 结论 封装 34mm 62mm 62mm 62mm RT4尺寸较小。 Ic(Tc=100℃) 150A 145A 150A 180A 电流能力相差不大。 Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,) 2.05V 2.5V 2.2V 2.1V RT4性能更好,导通损耗小。 Tj(度） 175℃ 150℃ 175℃ 150℃ T4芯片结温高 Rgon/off 1.1Ω 5.6Ω 1Ω 7Ω 驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！ Eon 13.5mJ 24mJ 19.2mJ 18mJ 123D的开关损耗较大！ Eoff 13.5mj 17mJ 15.8mJ 15mJ Rjc(IGBT) 0.19K/W 0.09K/W 0.19K/W 0.095K/W 123D的热阻小！ Rjc(Diode) 0.31K/W 0.18K/W 0.31K/W 0.25K/W Vf(V) 1.65V 1.8V 2.07V 1.8V RT4反并联二极管通态性能更好。 结论：RT4与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交大。与128D相比，热阻较大。和西门康最新的T4系列相比，开关损耗较小。 RT4模块-与斯达模块的比较 斯达在焊机应用上主要有以下几款： HFL系列(低损耗快速）：GD50HFL120C1S GD75HFL120C1S GD100HFL120C1S GD100HFL120C2S GD150HFL120C2S 50A的RT4和斯达模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125℃） 型号 GD50HFL120C1S FF50R12RT