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一、填空题（30 分=1 分*30）10 题/章 晶圆制备 用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有时也被称为（ 电子级硅 ）。 单晶硅生长常常利用（ CZ 法 ）和（ 区熔法 ）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ 硅锭 ）。 晶圆的英文是（ wafer ），其常常利用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。 晶圆制备的九个工艺步骤别离是（ 单晶生长 ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蚀、（ 抛光 ）、清洗、检查和包装。 从半导体制造来讲，晶圆顶用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。 CZ 直拉法生长单晶硅是把（ 融化了的半导体级硅液体 ）变成（ 有正确晶向的 ）而且（ 被搀杂成 p 型或 n 型 ）的固体硅锭。 CZ 直拉法的目的是（ 实现均匀搀杂的同时而且复制仔晶的结构，取得适合的硅锭直径而且限制杂质引入到硅中 ）。阻碍 CZ 直拉法的两个要紧参数是（ 拉伸速度 ）和（ 晶体旋转速 度 ）。 晶圆制备中的整型处置包括（ 去掉两头 ）、（ 径向研磨 ）和（ 硅片定位边和定位槽 ）。 制备半导体级硅的进程：1（ 制备工业硅 ）；2（ 生长硅单晶 ）；3（ 提纯）。氧化 二氧化硅按结构可分为（ 结晶型 ）和（ 非结晶型 ）或（不定型 ）。 热氧化工艺的大体设备有三种：（ 卧式炉 ）、（ 立式炉 ）和（ 快速热处置炉 ）。 依照氧化剂的不同，热氧化可分为（ 干氧氧化 ）、（ 湿氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）。 用于热工艺的立式炉的要紧操纵系统分为五部份：（ 工艺腔 ）、（ 硅片传输系统 ）、气体分派系统、尾气系统和（ 温控系统 ）。 选择性氧化常见的有（ 局部氧化 ）和（ 浅槽隔离 ），其英语缩略语别离为 LOCOS 和（ STI ）。 列出热氧化物在硅片制造的 4 种用途：（ 搀杂阻挡 ）、（ 表面钝化 ）、场氧化层和（ 金属层间介质 ）。 金。 可在高温设备中进行的五种工艺别离是（ 氧化 ）、（ 扩 散 ）、（ ）、退火和合 硅片上的氧化物要紧通过（ 热生长 ）和（ 淀积 ）的方式产生，由于硅片表面超级平整，使得产生的氧化物要紧为层状结构，因此又称为（ 薄膜 ）。 热氧化的目标是依照（ ）要求生长（ ）、（ ） 的二氧化硅薄膜。 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（ 石英工艺腔 ）、（ 加热器 ） 和（ 石英舟 ）组成。 淀积 目前常常利用的 CVD 系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。 淀积膜的进程有三个不同的时期。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ）， 第三步是（ 汇聚成膜 ）。 缩略语 PECVD、LPCVD、HDPCVD 和 APCVD 的中文名称别离是（ 等离子体增强化学气相淀积 ）、（ 低压化学气相淀积 ）、高密度等离子体化学气相淀积、和（ 常压化学气相淀 积 ）。 在外延工艺中，假设是膜和衬底材料（ 相同 ），例如硅衬底上长硅膜，如此的膜生长称为（ 同质外延 ）；反之，膜和衬底材料不一致的情形，例如硅衬底上长氧化铝，那么称为（ 异 质外延 ）。 假设是淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易致使高的（ 膜应力 ）、（ 电短路 ）或在器件中产生不希望的（ 诱生电荷 ）。 气体混合深宽比概念为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（ ）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，而且会产生（ ）和（ ）。 气体混合 化学气相淀积是通过（ ）的化学反映在硅片表面淀积一层（固体膜 ）的 工艺。硅片表面及其临近的区域被（ 加热 ）来向反映系统提供附加的能量。 化学气相淀积的大体方面包括：（ ）；（ ）；（ ）。 在半导体产业界第一种类型的 CVD 是（APCVD ），其发生在（质量运输操纵 ） 区域，在任何给定的时刻，在硅片表面（不可能有足够 ）的气体分子供发生反映。 HDPCVD 工艺利用同步淀积和刻蚀作用，其表面反映分为：（ 离子诱导淀积 ）、（ 溅射刻蚀 ）、（ 再次淀积 ）、热中性 CVD 和反射。 金属化 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（ ）、（ ）和（ ）。 气体直流辉光放电分为四个区，别离是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放 电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（ ）和（ ），那么溅射区域选择在（ ）。 溅射现象是在（ ）中观看到的，集成电路工艺中利用它要紧用来 （ ），还能够用来（ ）。 对芯片互连的金属和金属合金来讲，它所必备一些要求是：（ 导电率 ）、高黏附性、（ 淀积 ）