北工大半导体物理历年真题.docVIP

４、室温下，一N型样品掺杂浓度为Nd，全部电离。当温度升高后，其费米能级如何变化？为什么？一本征半导体，其费米能级随温度升高如何变化？为什么？〔2007〕 4、一块N型半导体，随温度升高，载流子浓度如何变化？费米能级如何变化？〔2021〕 7、定性说明掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系是怎样的？〔2021〕 10、〔20分〕设某一种半导体材料室温下〔300 K〕本征载流子浓度为1.0 × 1010 cm?3NV = NC = 1019 cm?3， 1〕 求禁带宽度； 2〕 如果掺入施主杂质ND = 1016 cm?3，求300 K下，热平衡下的电子和空穴浓度； 3〕 对于上面的样品，在又掺入NA = 2 × 1016 cm?3的受主杂质后，求新的热平衡电子和空穴浓度〔300 K〕。 4〕求3〕中，费米能级的位置EF ? Ei； (2021) 9.(10分 2021) 某半导体材料中n型杂质浓度为ND， p型杂质浓度为NA，假设杂质完全电离， 证明半导体中电子浓度： 11.(20分-2021) 对于一块掺杂浓度为ND的N型半导体材料， 〔1〕示意画出电子浓度n0随温度的变化曲线，并在图中同时画出 本征半导体浓度ni随温度变化的曲线； 〔2〕假设掺杂浓度ND提高，载流子浓度随温度变化曲线如何变化？ 〔3〕示意地画出N型半导体费米能级随温度的变化，并简单解释； 〔4〕在n0随温度变化的曲线上，哪段温度的影响对材料电阻率起到 增加的作用？为什么？ 第四章 4 〔2006〕 9、〔16分〕在T=300K下，一N型半导体Si样品，测得的电阻率为0.1?-cm。 求此时的电子浓度和空穴浓度〔查图〕。 假设在此样品中，再掺入9?1016cm-3P型杂质，求此时样品的电阻率、多子浓度和少子浓度。并求出此时多子的迁移率〔查图〕。〔2006〕 ６、一N型硅样品杂质浓度为ND1，经扩硼B后〔掺杂浓度为NA〕样品变为P型；再经扩磷P〔杂质浓度为ND2〕样品又变为N型，此时载流子浓度为多少？与未扩散前的N型样品相比，迁移率有何变化？ ７、半导体的电阻率通过掺杂可以敏感地控制，“掺入百万分之一的杂质，可以引起电阻率百万倍变化〞，以硅为例，忽略掺杂对迁移率的影响，粗略估算证明之。 9、〔16分〕什么是载流子的迁移率？迁移率与载流子的平均自由时间成正比。有两种载流子的散射机构，平均自由时间分别为?1，?2，如果?1〉?2，总迁移率是不是由?1 12、〔18分〕当温度升高时，本征半导体的电阻率与金属的电阻率随温度变化有何不同？为什么？一块N型样品的电阻率随温度的变化又如何？解释之 11、〔13分〕 1〕 什么是载流子的迁移率？影响迁移率的主要散射机理有几种。讨论载流子类型、掺杂和环境温度对迁移率的影响关系。 2〕 (2021) 8. (16分) T = 300K时的硅热平衡空穴浓度为p0 = 2 ? 105 cm?3， 求热平衡电子浓度。该材料是n型还是p型半导体？ 假设再向该材料中掺入NA = 1 ? 1013 cm?3的受主杂质，此时的电子和空穴浓度分别是多少？ 假设该材料电子和空穴的迁移率不变，计算掺杂前后电阻率变化。〔2021〕 〔1〕热平衡电子浓度n0 = ni2/p0 = (1.5 × 1010)2 / 2.5 × 105 = 9 × 1014 cm?3 ∵ n0 p0, ∴ 该材料是n型半导体〔2〕再掺杂后，n0,1 = ND – NA = 9 × 1014 – 1 × 1013 = 8.9 × 1014 cm?3 p0,1 = ni2/n0,1 = (1.5 × 1010)2 / 8.9 × 1014 = 2.53 × 105 cm?3〔3〕初始电阻率ρ0 = ( 1/n0qμn)，再掺杂后电阻率ρ1 = 1/n0,1qμn ρ1/ρ0 = n0 /n0,1 = 9/8.9 = 1.01 即电阻率变为原来的1.01倍，或增加了1% 十、(10分) 什么是载流子的迁移率？假定半导体内存在三种散射机制。只存在第一种散射机制时的迁移率是2000 cm2/Vs，只存在第二种散射机制时的迁移率是1500 cm2/Vs，只存在第三种散射机制时的迁移率是500 cm2/Vs，求总迁移率。〔2021〕 根据多散射机构各散射几率与平均自由时间的关系可以得到总迁移率μ的倒数1/μ = 1/μ1 + 1/μ2 + 1/μ3∴ μ = 1/(1/μ1 + 1/μ2 + 1/μ3) = 1/(1/2000 + 1/1500 + 1/500) = 315.8 cm2/Vs 第五章 11、〔15分〕光均匀照射一个7?cm的p型Si样品，电子－空穴对的产生率为5x1016cm-3