场效应管学习.pptxVIP

;§6.4.1 绝缘栅型场效应管的结构和符号;;4;N 沟道耗尽型;P 沟道耗尽型;三、MOS管的工作原理;;;;;;13; 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。;6.4.2 场效应管的伏安特性及主要参数;0;2.耗尽型特性曲线：;输出特性曲线;（1）直流参数;1.结构及符号;21;S源极;S源极;2.工作原理（以N沟道为例）;;;;;;;31;UGS;输出特性曲线;;非饱和区：;36;饱和区：;P沟道结型场效应管的特性曲线;39;输出特性曲线;4.主要参数：; 结型场效应管的缺点：;场效应管;? 1.半导体有光敏、热敏和掺杂特性。 结具有单向导电性，P＋N－导通，P－N＋截止。 3.二极管的内部就是一个PN结，正向偏置导通，反向偏置截止。 4.三极管内部有二个PN结，三极管放大的实质是以很小的基极电流控制较大的集电极电流。发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大状态，在放大状态时 IC＝βIB IE＝IB＋IC＝（1＋β）IB 5.场效应管是以很小的栅源电压控制较大的漏极电流。 场效应管是电压控制元件，三极管是电流控制元件。;45